Моделирование методом Монте-Карло физических процессов взаимодействия нерелятивистских электронов с веществом

Борисов Сергей Сергеевич. Моделирование методом Монте-Карло физических процессов взаимодействия нерелятивистских электронов с веществом : Дис. ... канд. физ.-мат. наук : 05.27.01 Москва, 2006 154 с. РГБ ОД, 61:06-1/364
Автор
Борисов Сергей Сергеевич
Год
2006
  • 99 000 UZS

Оглавление диссертации
Введение
Глава 1. Методы описания процессов происходящих при прохождении нерелятивистских электронов через вещество 11
1.1 Сечение упругого рассеяния 14
1.2 Приближение непрерывных потерь. Формула Бете-Блоха. Тормозное рентгеновское излучение 18
1.3 Приближение случайных потерь. Оже электроны. Характеристическое рентгеновское излучение 25
1.3.1 Столкновение с электронами внутренних оболочек. Формула Гризинского 28
1.3.2 Столкновение с электронами внешних атомных оболочек... 32
1.3.3 Генерация плазмонов 34
1.3.4 Важность учёта случайных потерь. Распределение Ландау... 37
1.4 Поверхностные эффекты. Граница раздела сред. Работа выхода. Рассеяние низкоэнергичных электронов 43
Заключение 46
Глава 2. Метод Монте-Карло для моделирования рассеяния частиц в веществе 47
2.1. Принципы моделирования рассеяния методом Монте-Карло.. 49
2.2. Обрезание траекторий. 57
2.3. Метод выборки максимальной значимости ("деление", "вращение" траекторий, понижение размерности задачи) 62
2.4. Распределение Ландау. Использование Аналитических моделей прохождения электронов через вещество 67
2.5. Комбинирование сечений рассеяния 71
2.6.О генераторе случайных чисел 73
Заключение 77
Глава 3. Результаты моделирования рассеяния нерелятивистских электронов 78
3.1. Распределение выделенной в процессе экспонирования электронным пучком энергии 78
3.2. Распределение выделенного в процессе экспонирования электронным пучком заряда 85
3.3. 3-D моделирование при неплоской топологии образца. Неперпендикулярное падение электронного пучка 92
3.4. Моделирование вторичной электронной эмисии на прострел и обратноотражённых электронов 94
3.5. Флуктуации энергии и заряда, накопленных при экспонировании образца электронным пучком 97
3.6. Псевдоупругий пик на энергетическом спектре вторичных электронов 100
3.7. Влияние неоднородностей образца и заргязнения на поверхности на спектр вторичной электронной эмиссии 102
3.8. Энергоугловой спектр вторичных электронов 107
3.9. Влияние точности задания сечений на результаты моделирования 112
Выводы 114
Список литературы 116
Приложение 130

Рекомендуем вам товары

99 000 UZS
Автор
Плотникова Екатерина Юрьевна
Количество страниц
Год
2015
99 000 UZS
Автор
Жабин Алексей Сергеевич
Количество страниц
Год
2017
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3