Введение
1. Обзор литературы и постановка задачи 12
1.1. Структуры с двумерным электронным газом 12
1.2. Транспортные свойства двумерного электронного газа в классических магнитных полях 18
1.3. Влияние морфологии гетерограниц на анизотропию транспортных свойств двумерного электронного газа 30
2. Методика эксперимента 39
2.1. Ростовая установка и технология изготовления образцов 39
2.2. Характеризация поверхности сканирующей зондовой микроскопией 46
2.2.1. Полуконтактная топография 48
2.2.2. Сканирующая емкостная микроскопия 50
2.2.3. Анализ представления поверхности, полученного сканирующей микроскопией 52
2.3. Методика магнетотранспортных измерений 55
3. Влияние условий роста на морфологию поверхности исследуемых структур 59
3.1. Морфология поверхности образцов 59
3.2. Распределение поверхностной локальной ёмкости 68
4. Магнетотраспортные свойства двумерных электронов в GaAs квантовых ямах с AlAs/GaAs сверхрешеточными барьерами 74
4.1. Анизотропия трансгорта двумерного электронного газа в GaAs квантовых ямах с AlAs/GaAs сверхрешеточными барьерами 74
4.2. Соизмеримые осцилляции магнетосопротивления двумерного электронного газа в GaAs квантовых ямах с корругированными гетерограницами 84
4.3. Квазиклассическое отрицательное магнетосопротивление двумерного электронного газа 94
Заключение 103
