Введение
ГЛАВА I. Методы получения лазерных и фотоэлектрических гетероструктур
1.1. Основные методы выращивания эпитаксиальных гетероструктур. 14
1.2. Аппаратурное оформление процесса жидкофазной эпитаксии . 21
1.3. Предпосылки управляемого выращивания AlGaAs наногетероструктур методом жидкофазной эпитаксии при снижении 24 температуры кристаллизации.
1.4. Формулирование задач диссертационной работы. 28
ГЛАВА II. Разработка метода низкотемпературной жидкофазной эпитаксии для управляемого 30 получения наногетероструктур в системе AlGaAs/GaAs .
2.1. Расчет скоростей роста и толщин квантово-размерных слоев. 30
2.2. Особенности кристаллизации GaAs/AlGaAs наногетероструктур при низких температурах.
2.3. Исследование наногетероструктур, полученных низкотемпературной жидкофазной эпитаксией .
2.3.1. Методы измерения толщины, состава и уровня легирования субмикронных AlGaAs-слоев.
2.3.2. Толщина и планарность субмикронных эпитаксиальных слоев. 42
2.3.3. Исследование содержания AlAs в твердой фазе при температуре кристаллизации менее 600 С.
2.3.4. Легирование донорами и акцепторами слоев в системе GaAs/AlGaAs при низких температурах.
ГЛАВА III. Низко-пороговые aigaas-гетеролазеры с квантово-размерной активной областью .
3.1. Разработка технологии получения структур гетеролазеров с квантово-размерными слоями.
3.2. Пороговые характеристики РО ДГС лазеров, излучающих на длине волны 850 нм.
3.3. Квантово-размерные AlGaAs-гетеролазеры для диапазона длинволн 730-850 нм.
3.3.1. Особенности технологии выращивания структур РО ДГС лазеров для диапазона длин волн 730-850 нм .
3.3.2. Пороговые характеристики РО ДГС лазеров, излучающих в диапазоне длин волн 730-850 нм.
3.4. Разработка технологии изготовления полосковых лазеров миллиамперного диапазона пороговых токов.
3.4.1. Меза-полосковые гетеролазеры. 66
3.4.2. Гетеролазеры с полосковой геометрией, задаваемой профилем подложки.
3.4.3. Зарощенные меза-полосковые лазеры. 72
ГЛАВА IV. Высокоэффективные фотоэлектрические преобразователи энергии в системе Al-Ga -
4.1. Исследование фотоэлектрических свойств гетероструктур с ультратонким "широкозонным окном".
4.2. AlGaAs/GaAs фотоэлементы для преобразования неконцентрированного (1 солнце) солнечного излучения .
4.3. Фотоэлементы в системе Al-Ga-As для преобразования концентрированного (до 1000 крат) солнечного излучения.
4.3.1. Методика получения гетероструктур. 96
4.3.2. Характеристики полученных солнечных элементов. 99
4.4. Солнечные элементы в системе Al-Ga-As для преобразования солнечного излучения сверхвысокой (до 6000 крат) концентрации.
4.4.1. Технология получения гетероструктур. 103
4.4.2. Оптимизация конструкции солнечных элементов, преобразующих солнечное излучение сверхвысокой концентрации.
4.4.3. Характеристики солнечных элементов. 114
4.5. Двухпереходные солнечные элементы на основе GaAs/AIGaAs гетероструктур.
4.5.1. Применение низкотемпературной жидкофазной эпитаксии для получения двухпереходных монолитных каскадных гетероструктур.
4.5.2. Исследование характеристик элементов каскада. 122
4.5.3. Монолитный двухпереходный солнечный элемент.
4.6. Высокоэффективные преобразователи лазерного излучения на основе гетероструктуры AlGaAs/GaAs.
4.7. Бетавольтаические преобразователи излучения. 129
ГЛАВА V. Фотоэлектрические преобразователи излучения на основе узкозонных полупроводников (GaSb, Ge). 137
5.1. Формирование и исследование диффузионного профиля р/п перехода в GaSb.
5.2. Жидкофазная эпитаксия GaSb. 144
5.3. Получение фотоэлектрических преобразователей солнечного излучения на основе GaSb.
5.4. Механически стыкованные двухкаскадные солнечные элементы на основе GaAs и GaSb.
5.5. Термофотоэлектрические элементы: перспективы улучшения эффективности.
5.6. Термофотоэлектрические элементы на основе GaSb. 178
5.7. Термофотоэлектрический генератор. 184
5.8. Термофотоэлектрические элементы на основе Ge. 201
5.9. Монолитные каскадные термофотоэлектрические элементы. 205
Заключение 211
Литература
