Мощный полевой транзистор на основе гетероструктуры (Al, Ga)N/GaN

Александров Сергей Борисович. Мощный полевой транзистор на основе гетероструктуры (Al, Ga)N/GaN : дис. ... канд. техн. наук : 01.04.10, 05.27.01 СПб., 2006 185 с. РГБ ОД, 61:07-5/951
Автор
Александров Сергей Борисович
Год
2006

  • 99 000 UZS

Рекомендуем вам товары

Развитие методов атомно-силовой микроскопии для контроля электрических и электрофизических параметров объектов микроэлектроники
99 000 UZS
Автор
Коровкина Наталья Михайловна
Количество страниц
Год
2006
Исследование и разработка методики теплового моделирования аналого-цифровых кремниево-германиевых БиКМОП интегральных микросхем
99 000 UZS
Автор
Дацук Антон Михайлович
Количество страниц
Год
2019
Микромощные АЦП для многоканальных устройств сбора данных и систем на кристалле
99 000 UZS
Автор
Бутузов Владимир Алексеевич
Количество страниц
Год
2014
Влияние электростатических разрядов на параметры низкочастотного шума интегральных схем
99 000 UZS
Автор
Жуков Дмитрий Михайлович
Количество страниц
Год
2017
Основные закономерности зарядки диэлектриков и сегнетоэлектриков электронами средних энергий
99 000 UZS
Автор
Татаринцев, Андрей Андреевич
Количество страниц
Год
2013
Новостной блок
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3