Определение химического состава и толщины гальванических покрытий методом атомно-эмиссионной спектроскопии с тлеющим разрядом постоянного тока

Чичерская Анна Леонидовна. Определение химического состава и толщины гальванических покрытий методом атомно-эмиссионной спектроскопии с тлеющим разрядом постоянного тока: диссертация ... кандидата Химических наук: 02.00.02 / Чичерская Анна Леонидовна;[Место защиты: Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б.Н. Ельцина], 2016.- 148 с.
Автор
Чичерская Анна Леонидовна
Год
2016
  • 99 000 UZS

Оглавление диссертации
Введение
1 Анализ гальванических покрытий методом атомно эмиссионной спектрометрии с тлеющим разрядом постоянного тока 13
1.1 Методы послойного анализа покрытий 14
1.2 Послойный анализ методом атомно-эмиссионной спектрометрии с тлеющим разрядом постоянного тока (АЭС ТРПТ) 17
1.2.1 Оптимальные операционные условия тлеющего разряда 18
1.3 Скорость катодного распыления материала 22
1.3.1 Зависимость скорости распыления материала от его физико химических характеристик 26
1.4 Градуировка спектрометра для проведения анализа 27
1.4.1 Стандартные и градуировочные образцы для количественного анализа 31
1.5 Анализ гальванических покрытий 34
Выводы по главе 1, постановка целей и задач исследования 38
2. Исследование кратеров ионного травления и подбор оптимальных операционных параметров тлеющего разряда для анализа гальванических покрытий Ni-P, Sn-Bi, Sn-Pb 41
2.1. Исследование профилей кратеров ионного травления 41
2.1.1 Обработка результатов измерений профиля кратера ионного травления 42
2.2 Подбор оптимальных операционных параметров разряда для гальванических покрытий Ni-P, Sn-Bi и Sn-Pb 49
2.2.1 Изготовление образцов покрытия Ni-P 50
2.2.2 Образцы для подбора оптимальных операционных параметров анализа покрытий Sn-Bi и Sn-Pb 51
2.2.3 Прожиг кратеров ионного травления 51
Выводы по главе 2 54
3. Методика определения толщины и состава гальванических покрытий Ni-P, Sn-Bi И Sn-Pb 56
3.1 Изготовление и аттестация градуировочных образцов толщины и состава гальванических покрытий 56
3.1.1 Изготовление подложек и нанесение гальванических покрытий 56
3.1.2 Изготовление образцов с различным значением толщины и состава гальванического покрытия
3.1.3 Аттестация комплекта градуировочных образцов толщины покрытия Ni-P 59
3.1.4 Аттестация комплектов градуировочных образцов состава покрытий Ni-P, Sn-Bi и Sn-Pb 64
3.2 Градуировка атомно-эмиссионного спектрометра 66
3.2.1 Построение мультиматричных градуировочных зависимостей для определения химического состава гальванических покрытий Ni-P, Sn-Bi и Sn-Pb 66
3.2.2 Градуировка спектрометра для определения толщины покрытий 70
3.2.3 Определение толщины покрытий Ni-P, Sn-Bi и Sn-Pb методом 73
АЭС ТРПТ 73
3.3 Определение состава гальванических покрытий методом АЭС ТРПТ 76
Выводы по главе 3 78
4. Исследование зависимости скорости катодного распыления материалов от их физико-химических характеристик 80
4.1 Определение скорости катодного распыления металлов и углерода 80
4.2 Связь относительной скорости катодного распыления элементов с их физико-химическими характеристиками 84
4.2.1 Связь скорости катодного распыления с атомным номером элемента 84
4.2.2 Зависимость скорости катодного распыления материалов от ряда физико-химических параметров 88
Выводы по главе 4 102
Заключение 103
Список сокращений 105
Список условных обозначений 106
Список работ по теме диссертации 111
Список литературы 113

Рекомендуем вам товары

99 000 UZS
Автор
Гузик Татьяна Владимировна
Количество страниц
Год
2015
99 000 UZS
Автор
Зяблов Александр Николаевич
Количество страниц
Год
2015
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3