Оптимизация процесса роста монокристаллов карбида кремния на затравках различных кристаллографических ориентаций

Фадеев, Алексей Юрьевич. Оптимизация процесса роста монокристаллов карбида кремния на затравках различных кристаллографических ориентаций : диссертация ... кандидата технических наук : 05.27.06 / Фадеев Алексей Юрьевич; [Место защиты: С.-Петерб. гос. электротехн. ун-т (ЛЭТИ)].- Санкт-Петербург, 2013.- 162 с.: ил. РГБ ОД, 61 13-5/2602
Автор
Фадеев, Алексей Юрьевич
Год
2013

  • 99 000 UZS

Рекомендуем вам товары

Материаловедческие аспекты разработки материалов для диэлектрических слоев ГИС на металлодиэлектрических подложках
99 000 UZS
Автор
Воробьев, Владимир Александрович
Количество страниц
Год
2001
Процессы обработки затравок для выращивания совершенных объемных монокристаллов полупроводникового карбида кремния методом ЛЭТИ
99 000 UZS
Автор
Сысоев Андрей Александрович
Количество страниц
Год
2001
Технология элементной базы защитных устройств для радиолокаторов сверхвысоких частот
99 000 UZS
Автор
Соловьев Юрий Владимирович
Количество страниц
Год
2005
Механизмы испарения и поглощения сурьмы из растворов-расплавов галлия и индия
99 000 UZS
Автор
Корнеева, Валерия Владиславовна
Количество страниц
Год
2000
Голографическая диагностика газофазных процессов микроэлектроники
99 000 UZS
Автор
Антоненко, Константин Иванович
Количество страниц
Год
2000
Новостной блок
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3