Плазменные процессы в технологии HEMT транзисторов на основе III-нитридов

Андрианов Николай Александрович. Плазменные процессы в технологии HEMT транзисторов на основе III-нитридов: диссертация ... кандидата Физико-математических наук: 01.04.04 / Андрианов Николай Александрович;[Место защиты: ФГАОУ ВО «Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого»], 2018.- 188 с.
Автор
Андрианов Николай Александрович
Год
2018

  • 99 000 UZS

Рекомендуем вам товары

Развитие модулированных и полярных фаз в соединениях на основе перовскитных антисегнетоэлектриков
99 000 UZS
Автор
Бронвальд Юрий Алексеевич
Количество страниц
Год
2018
Многоострийные полевые эмиттеры для высоковольтных электронных устройств
99 000 UZS
Автор
Тарадаев Евгений Петрович
Количество страниц
Год
2017
Структурные и электрофизические свойства аморфных HfxAl1-xOy и сегнетоэлектрических HfxLa1-xOy, HfxZr1-xOy тонкопленочных оксидов, формируемых методом атомно-слоевого осаждения
99 000 UZS
Автор
Черникова Анна Георгиевна
Количество страниц
Год
2017
Ионно-стимулированные процессы в полупроводниках при различной плотности каскадов смещений
99 000 UZS
Автор
Карасев Платон Александрович
Количество страниц
Год
2018
Разрабтка технологии и создание монолитного GaAs СВЧ малошумящего усилителя с металлизацией на основе пленок Al и Cu
99 000 UZS
Автор
Ишуткин Сергей Владимирович
Количество страниц
Год
2016
Новостной блок
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3