Введение
Глава 1. Получение, основные свойства и применение многокомпонентных твердых растворов на основе соединений А3В5 (обзор литературы) . 8
1.1. Закономерности изменения основных свойств многокомпонентных твердых растворов 8
1.2. Термодинамика многокомпонентных твердых растворов 15
1.2.1. Особенности термодинамического описания фазовых диаграмм изоморфных многокомпонентных твердых растворов 15
1.2.2. Определение границ существования многокомпонентных твердых растворов 21
1.2.3. Межфазная поверхностная энергия границы раздела «жидкость - твердое» 26
1.3. Геропереходы I и II рода па основе многокомпонентных антимонидов 33
1.4. Применение гетероструктур на основе изоморфных многокомпонентных твердых растворов с низкой термодинамической устойчивостью 36
Выводы к главе 1 39
Глава 2. Фазовые превращения при жидкофазной эпитаксии пятерных твердых растворов с низкой термодинамической устойчивостью 41
2.1. Проектирование эпитаксиальных гетероструктур на основе многокомпонентных твердых растворов с заданными свойствами 41
2.2. Когерентная диаграмма состояния пятерных систем 48
2.3. Стабилизирующее влияние упругих напряжений на период решетки пятерных твердых растворов 60
2.4. Термодинамические ограничения при получении полупроводниковых изоморфных систем пятерных твердых растворов 69
Выводы к главе 2 74
Глава 3. Особенности кристаллизации многокомпонентных твердых растворов А3В5 75
3.1. Анализ фазовых равновесий в системе Ga-In-P-As-Sb 75
3.2. Определение температуры ликвидуса пятерных систем на основе соединений А3В5 79
3.3. Методы исследования гетероструктур многокомпонентных антимонидов А3В5 83
3.4. Жидкофазпая гетероэпитаксия многокомпонентных твердых растворов антимонидов 84
3.4.1 Получение эпитаксиальных слоев из растворов-расплавов, обогащенных сурьмой 87
3.4.2 Получение эпитаксиальных слоев из растворов-расплавов, обогащенных индием 94
Вывод к главе 3 96
Глава 4. Исследование свойств твердых растворов многокомпонентных антимонидов 97
4.1. Зависимость ширины запрещенной зоны от состава (GalnAsSb) 97
4.2. Структурное совершенство эпитаксиальных слоев 100
4.3. Фотолюминесцентные свойства твердых растворов GalnPAsSb, изопсриодных GaSbnlnAs 103
4.4. Электролюминесценция гетероструктур GalnPAsSb/InAs 108
4.4.1. Электролюминесценция изотопного Р-р гетероперехода 109
4.4.2. Электролюминесценция изотиппого N-n гетероперехода 112
4.4.3. Электролюминесценция гомо р-п перехода в объеме твердого раствора 114
4.4.4. Фотоответ roMO-P-N-перехода в объеме твердого раствора 116
Выводы к главе 4 119
Заключение 120
Литература .123
