Введение
Глава 1. Литературный обзор. 9
1.1. Методы синтеза (in)gaasn слоев на подложке gaas 9
1.2. Основные свойства соединения ingaasn - 10
1.2. 1. Ширина запрещенной зоны соединения gaasn. Теоретические модели, описывающие изменение ширины запрещенной зоны gaasn. 10
1.2.2. Эффективная масса электрона (injgaasnсоединений 19
L2.3. Оптические свойства соединения (injgaasn. 19
1.2.4. Существующие дизайны структур с (in)gaasn квантовыми ямами, излучающими на длине волны 1,5 мкм; 23
1.3. Основные характеристики лазеров на основе (1n)gaasn/gaas 25
1.3.1. Лазеры полосковой конструкции. 25
1.3.2. Вертикально-излучающие лазеры 28
Глава 2. Экспериментальное оборудование и методы .29
2.1. Рост гетероструктур методом молекулярно-пучковойэпитаксии. 29
2.2. Экспериментальные методы исследований гетероструктур . 29
Глава 3. Зонная структура и оптические свойства твердого раствора (in)gaasn . 33
3.1. Зависимость ширины запрещенной зоны твердого раствора (in)gaasn от Состава по [n] и по [in] 33
3.2. Излучательные свойства материала gaasn 37
Глава 4. Свойства тонких и сверхтонких слоев (in)gaasn/gaas 46
Глава 5. Получение длинноволнового излучения в структурах с ingaasn квантоворазмерными слоями...58
5.1. Свойства ingaasn/gaas квантоворазмерных слоев, излучающих в области 1,3-1,55 мкм 59
5.2. Исследование свойств структур с квантовыми точками inas/ingaas, осажденными в gaasn, и структур с квантовыми точками inas/ingaas/ingaasn 67
5.3. Исследование свойств inas/ingaasn структур, помещенных в gaasn/ingaasn барьеры 72
5.3.1. Исследование типа гетероперехода на примере структур gaas/gaasn/lngaas 73
5.3.2. Оптические и структурные свойства inas/ingaasn структур, помещенных в gaasn/ingaasn барьеры 82
Заключение 90
Список литературы
