Получение высокоэффективных солнечных элементов на базе многослойных гетероструктур Al x Ga1-x As/GaAs/Ge/Si x Ge1-x /Si

Смолин, Александр Юрьевич. Получение высокоэффективных солнечных элементов на базе многослойных гетероструктур Al x Ga1-x As/GaAs/Ge/Si x Ge1-x /Si : диссертация ... кандидата технических наук : 05.27.06.- Новочеркасск, 2000.- 199 с.: ил. РГБ ОД, 61 00-5/2263-0
Автор
Смолин, Александр Юрьевич
Год
2000

  • 99 000 UZS

Рекомендуем вам товары

Разработка технологии производства кремниевых эпитаксиальных структур для силовых приборов
99 000 UZS
Автор
Харламов, Роман Валентинович
Количество страниц
Год
2000
Структурно-морфологические особенности нитрида алюминия в зависимости от условий получения
99 000 UZS
Автор
Четвергов, Михаил Владимирович
Количество страниц
Год
2000
Применение зондирующего СВЧ электромагнитного излучения для определения рекомбинационных свойств полупроводников
99 000 UZS
Автор
Тюрнев, Николай Валерьевич
Количество страниц
Год
2000
Разработка технологии ядерного легирования монокристаллического кремния больших размеров
99 000 UZS
Автор
Стук, Алексей Афанасьевич
Количество страниц
Год
2000
Разработка физико-химических основ получения пятикомпонентных твердых растворов InGaAsSbP в поле температурного градиента
99 000 UZS
Автор
Разумовский, Павел Иванович
Количество страниц
Год
2000
Новостной блок
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3