Процесс формирования экситонов в GaAs и AlGaAs при нерезонансном оптическом возбуждении

Кожемякина, Елена Владимировна. Процесс формирования экситонов в GaAs и AlGaAs при нерезонансном оптическом возбуждении : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10 / Кожемякина Елена Владимировна; [Место защиты: Ин-т физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН].- Новосибирск, 2013.- 135 с.: ил. РГБ ОД, 61 13-1/685
Автор
Кожемякина, Елена Владимировна
Год
2013

  • 99 000 UZS

Рекомендуем вам товары

Формирование и оптоэлектронные свойства периодических структур с массивами нанокристаллов кремния в диэлектрике
99 000 UZS
Автор
Чугров, Иван Александрович
Количество страниц
Год
2012
Физические принципы повышения мощности полупроводниковых лазеров на основе AlGaAs/InGaAs/GaAs гетероструктур в непрерывном режиме генерации
99 000 UZS
Автор
Шашкин, Илья Сергеевич
Количество страниц
Год
2012
Электронная структура напряженных гетероструктур Ge/Si с вертикально совмещенными квантовыми точками Ge
99 000 UZS
Автор
Блошкин, Алексей Александрович
Количество страниц
Год
2011
Структура и механические свойства кристаллов ZrO2 частично стабилизированных Y2O3
99 000 UZS
Автор
Милович, Филипп Олегович
Количество страниц
Год
2013
Высокочастотные акустические и магнитные исследования бората железа и слаболегированных лантан-стронциевых манганитов состава La1-xSrxMnO3 (0.12 < x < 0.175)
99 000 UZS
Автор
Булатов, Альберт Рунарович
Количество страниц
Год
2011
Новостной блок
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3