Пространственная модуляция экситонной восприимчивости квантовых ям InGaAs/GaAs сфокусированными ионными пучками

Капитонов Юрий Владимирович. Пространственная модуляция экситонной восприимчивости квантовых ям InGaAs/GaAs сфокусированными ионными пучками: диссертация ... кандидата Физико-математических наук: 01.04.07 / Капитонов Юрий Владимирович;[Место защиты: Санкт-Петербургский государственный университет], 2016
Автор
Капитонов Юрий Владимирович
Год
2016
  • 99 000 UZS

Оглавление диссертации
Введение
1 Обзор литературыипостановка задачи 16
1.1 Оптические свойства квантовых ям 16
1.2 Взаимодействие ионных пучков с веществом 20
1.3 Ионно-индуцированное перемешивание квантовых ям 23
1.4 Латеральное квантование квантовых ям 28
1.5 Выводы и задачи работы 33
2 Рассеяние света на пространственно модулированной квантовой яме 36
2.1 Постановка задачи 36
2.2 Восприимчивость квантовой ямы 38
2.3 Приближение однократного рассеяния 41
2.4 Точное решение уравнений Максвелла 45
2.5 Экситонное зеркало
2.5.1 Геометрия Брюстера 51
2.5.2 Компенсация дисперсии коэффициента отражения 52
2.5.3 Экспериментальное наблюдение компенсации дисперсии коэффициента отражения 55
2.5.4 Резонансная прозрачность 56
2.6 Экситонная дифракционная решетка 58
2.7 Сравнение приближений
2.7.1 Однократное рассеяние 61
2.7.2 Разложение точного решения уравнения Максвелла
2.8 Максимальная дифракционная эффективность 65
2.9 Выводы 69
3 Взаимодействие ионных пучков с квантовыми ямами 71
3.1 Сфокусированные пучки ионов Ga+ 71
3.2 Сфокусированные пучки ионов He+ 74
3.3 Моделирование взаимодействия пучка ионов с кристаллом
3.3.1 Моделирование для ионов He+ 78
3.3.2 Моделирование для ионов Ga+ 83
3.4 Оптические свойства однородно облученных ионами квантовых ям 85
3.4.1 Схема оптического эксперимента 85
3.4.2 Облучение ионами Ga+ 87
3.4.3 Облучение ионами He+ 92
3.5 Выводы 96
4 Модификация квантовых ям после эпитаксиального роста 98
4.1 Разрешение пространственной модуляции 98
4.2 Изготовление образца 100
4.3 Оптические измерения 100
4.4 Выводы 106
5 Рост квантовых ям на модифицированных подложках 107
5.1 Облучение подложки GaAs ионами Ga+ 107
5.2 Изготовление образца 109 5.3 Оптические измерения 113
5.4 Выводы 120
Заключение

Рекомендуем вам товары

99 000 UZS
Автор
Капралов Евгений Владимирович
Количество страниц
Год
2016
99 000 UZS
Автор
Кардакова Анна Игоревна
Количество страниц
Год
2016
99 000 UZS
Автор
Кобзарева Татьяна Юрьевна
Количество страниц
Год
2016
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3