Введение
ГЛАВА 1. Разработка моделей и алгоритмов расчета физических процессов, учитывающих особенности мощных высокочастотных полевых транзисторов. 12
1.1. Введение 12
1.2. Классификация моделей. 13
1.3. Экономичная разностная схема для двумерных нестационарных уравнений диффузионно - дрейфовой модели. 15
1.4. Экономичная разностная схема для двумерных нестационарных уравнений квазигидродинамической модели. 31
1.5. Специальный вид граничных условий для системы уравнений низкотемпературной полупроводниковой плазмы. 37
1.6. Модель лавинного пробоя, применимая в сильно неоднородных электрических полях . 43
1.7. Аналитическая модель для расчета вольт-амперных ималосигнальных высокочастотных характеристик полевого транзистора с затвором Шотки 48
1.8. Аналитическая модель для расчета и анализа амплитудных ифазовых характеристик двухзатворного полевого транзистора с затвором Шотки. 55
1.9. Заключение 58
ГЛАВА 2. Исследование физики процессов, происходящих в мощных высокочастотных полевых транзисторах, в областях токов и напряжений, близких к предельно допустимым для этих приборов. 59
2.1. Введение. 59
2.2. Особенности лавинного пробоя планарного полевого транзистора с затвором Шотки. 61
2.3. Лавинно-инжекционная неустойчивость и малые пробивные напряжения слоистых полупроводниковых структур. 73
2.4. Отрицательная дифференциальная проводимость иизотермический пробой стока арсенидгаллиевых полевых транзисторов с барьером Шотки .
2.5. Объяснение аномальной зависимости напряжения пробоя затвор-сток от потенциала затвора в субмикронных полевых транзисторах с затвором Шотки. 82
2.6. Исследование физических механизмов, ограничивающихмаксимальную мощность и эффективность полевых транзисторов с барьером Шотки. 89
2.7. Заключение. 95
ГЛАВА 3. Оптимизация характеристик и оценка перспективности новых конструкций мощных высокочастотных полевых транзисторов . 96
3.1. Методика проектирования полевых транзисторов для усилителей мощности. 97
3.2. Оценка перспективности полевого транзистора с комбинированной структурой. 103
3.3. Влияние качества подложки на характеристики субмикронных полевых транзисторов . 113
3.4. Конструкция подложки гетероструктурных полевыхтранзисторов, увеличивающая напряжение пробоя открытого канала. 121
3.5. Пути увеличения мощности гетероструктурного полевого транзистора с высокой подвижностью. 123
3.6. Заключение. 131
Заключение 133
Литература 136
