Разработка основ технологии получения эпитаксиальных слоев кремния в системе SiH4-H2 на подложках цилиндрической формы

Гришко Анна Сергеевна. Разработка основ технологии получения эпитаксиальных слоев кремния в системе SiH4-H2 на подложках цилиндрической формы : Дис. ... канд. техн. наук : 05.27.06 Москва, 2005 136 с. РГБ ОД, 61:05-5/2875
Автор
Гришко Анна Сергеевна
Год
2005

  • 99 000 UZS

Рекомендуем вам товары

Технология изготовления и исследование одночастотных полупроводниковых лазеров с волоконно-брэгговской решеткой
99 000 UZS
Автор
Климов Кирилл Игоревич
Количество страниц
Год
2005
Разработка процесса МОС-гидридной эпитаксии квантоворазмерных гетероструктур на основе полупроводников AIIIBV для приборов оптоэлектроники и ИК-техники
99 000 UZS
Автор
Мармалюк Александр Анатольевич
Количество страниц
Год
2006
Исследование наклонноконденсированных пленочных материалов для термоэлектрических преобразователей лазерного излучения
99 000 UZS
Автор
Опаричев Александр Борисович
Количество страниц
Год
2006
Технология создания радиационно-окрашенных лазерных кристаллов LiF с агрегированными центрами окраски
99 000 UZS
Автор
Конюшкин Василий Андреевич
Количество страниц
Год
2005
Физико-технические основы создания оптимизированных высоковакуумных магниторазрядных насосов, герметизирующих элементов и устройств для вакуумного технологического и аналитического оборудования электронной техники
99 000 UZS
Автор
Курбатов Олег Константинович
Количество страниц
Год
2005
Новостной блок
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3