Технология создания радиационно-окрашенных лазерных кристаллов LiF с агрегированными центрами окраски

Конюшкин Василий Андреевич. Технология создания радиационно-окрашенных лазерных кристаллов LiF с агрегированными центрами окраски : Дис. ... канд. техн. наук : 05.27.06 : Москва, 2005 177 c. РГБ ОД, 61:05-5/2103
Автор
Конюшкин Василий Андреевич
Год
2005

  • 99 000 UZS

Рекомендуем вам товары

Физико-технические основы создания оптимизированных высоковакуумных магниторазрядных насосов, герметизирующих элементов и устройств для вакуумного технологического и аналитического оборудования электронной техники
99 000 UZS
Автор
Курбатов Олег Константинович
Количество страниц
Год
2005
Получение профилированных монокристаллов карбида кремния методами сублимации и электрической эрозии
99 000 UZS
Автор
Карачинов Владимир Александрович
Количество страниц
Год
2005
Техноллогия получения тонкопленочных солнечных модулей большой площади на основе аморфного и микрокристаллического кремния
99 000 UZS
Автор
Семенов Александр Вячеславович
Количество страниц
Год
2015
Разработка реактора эпитаксиального наращивания одиночных подложек и исследование в нем теплофизических и физико-механических процессов
99 000 UZS
Автор
Миркурбанов Халит Абдулгазизович
Количество страниц
Год
2005
Технология пленок Ленгмюра-Блоджетт жесткоцепных полиимидов для устройств микросистемной техники
99 000 UZS
Автор
Пасюта Вячеслав Михайлович
Количество страниц
Год
2005
Новостной блок
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3