Введение
1. Проблемы изготовления датчиков работающих в экстремальных условиях .
1.1. Газовые датчики на монокристаллическом карбиде кремния.
1.2. Газовые датчики на пористом карбиде кремния .
1.3. Механизм газовой чувствительности полупроводников.
1.4. Постановка задач диссертации.
2. Получение пористого карбида кремния и его свойства
2.1. Методика формирования пористого карбида кремния и влияние режимов анодирования на его структуру.
2.2. Свойства пористого карбида кремния
2.5. Термодинамический анализ процесса формирования пористо карбида кремния
2.6. Выводы по главе 2
3. Влияние быстрого термического отжига на структуры Ti/пористый SiC и двуокись титана/ пористый SiC .
3.1. Влияние БТО на морфологические и оптические свойства слоев пористого карда кремния легированного титаном
3.2. Влияние БТО на формирование оксидных пленок титана на поверхности пористого карбида кремния .
3.3. Определение плотности поверхностных состояний из экспериментальных ВФХ структуры титан/пористый SiC до и после БТО
3.3. Влияние БТО на контакты титана к пористому карбиду кремния
3.4. Эффект насыщения прямого тока в структуре титан/пористый карбид кремния.
3.2. Термодинамика процесса фазообразования в системе Ti-SiC
3.5. Выводы к третьей главе 97
4. Исследования газочувствительности пористого карбида кремния и пленок ТІ02 на его основе . 98
4.1. Технология изготовления матрицы сенсоров на основе пористого SiC.
4.2. Характеристики газовой чувствительности пористого SiC к парам аммиака . 104
4.3. Исследования газовой чувствительности структуры двуокись титана/ пористый SiC 111
4.4. Выводы.к четвертой главе 122
Основные результаты и выводы 123
Библиографический список 124
