Границы раздела в тонкопленочных структурах с сегнетоэлектрическими слоями

Афанасьев Петр Валентинович. Границы раздела в тонкопленочных структурах с сегнетоэлектрическими слоями : дис. ... канд. техн. наук : 05.27.01 СПб., 2006 133 с. РГБ ОД, 61:07-5/826
Автор
Афанасьев Петр Валентинович
Год
2006

  • 99 000 UZS

Рекомендуем вам товары

Исследование способов улучшения тепловых режимов теплонагруженных микроэлектронных устройств
99 000 UZS
Автор
Палий Александр Викторович
Количество страниц
Год
2007
Исследование и разработка конструктивно-технологических решений создания элементов фоточувствительной микросистемы с использованием методов приборно-технологического моделирования
99 000 UZS
Автор
Балашов Александр Геннадьевич
Количество страниц
Год
2006
Получение и анализ газочувствительных и фоточувствительных наноструктурированных слоев на основе халькогенидов и оксидов элементов IV группы
99 000 UZS
Автор
Ахмеджанов Анвар Толмасович
Количество страниц
Год
2006
Модели индукционных взаимодействий в конструкциях мощных ВЧ и СВЧ транзисторов на основе изоморфно-коллективного подхода
99 000 UZS
Автор
Булгаков Олег Митрофанович
Количество страниц
Год
2006
Методы контроля содержания паров воды в подкорпусном объеме интегральных схем
99 000 UZS
Автор
Шишкина Наталья Александровна
Количество страниц
Год
2007
Новостной блок
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3