Разработка технологии пластин полупроводниковых соединений A^III B^V современной точности обработки

Мальвинова Ольга Валерьевна. Разработка технологии пластин полупроводниковых соединений A^III B^V современной точности обработки : Дис. ... канд. техн. наук : 05.27.06 : Москва, 2004 161 c. РГБ ОД, 61:04-5/2906
Автор
Мальвинова Ольга Валерьевна
Год
2004
  • 99 000 UZS

Оглавление диссертации
Введение
Глава I. Особенности обработки полупроводниковых пластин бинарных ~ A IIIT соединении А В в соответствии с современными требованиями . (Литературный обзор)
1.1 Введение
1.2Требования к качеству полупроводниковых пластин бинарных соединений АШВУ <...
1.3 Физико-химические свойства полупроводниковых соединений АШВУ и их влияние на процессы обработки подложек
1.4 Основные этапы обработки полупроводниковых материалов. ^
1.5 Выводы и постановка задачи Z...
Глава П.. Методы исследования и визуализации приповерхностных нарушений, возникающих в пластинах соединений АШВУ в процессе механической и химико-механической обработки
II. 1 Разработка методики косого шлифа для определения глубины нарушенного слоя в пластинах арсенида галлия, фосфида галлия и фосфида индия :
П.2 Определение глубины нарушенного слоя методом послойного удаления материала ...
II.3 Оценка качества поверхности полупроводниковых пластин арсенида галлия, фосфида галлия и фосфида индия после проведения процесса химико-механического полирования...<г*-
П.4 Материалы, исследуемые в работе 9.7
Глава III. Разработка технологии двухстороннего шлифования свободным абразивом пластин арсенида галлия, фосфида галлия, фосфида индия большого диаметра
III. 1. Сравнительный анализ качества поверхности и геометрических параметров пластин, полученных методами резки алмазным кругом с внутренней режущей кромкой и многопроволочной резки 9.7
Ш.2 Прогнозирование глубины приповерхностных нарушений при механической обработке пластин фосфида галлия, арсенида галлия и фосфида галлия
Ш.З..Исследование глубины повреждений в приповерхностных слоях пластин при проведении процесса шлифования в зависимости от размера абразивных частиц Y.7.
III. 4 Влияние удельного давления, скорости подачи суспензии и механических свойств материала на качество проведения процесса шлифования пластин арсенида галлия, фосфида галлия и фосфида индия <Р.Ч
Ш.4 Выводы по главе III ?/$
Глава 4 Разработка технологии прецизионного химико-механического полирования пластин фосфида галлия, арсенида галлия и фосфида индия 7.:3
IV. 1. Исследование качества поверхности пластин фосфида галлия и арсенида галлия после проведения процесса одностороннего химико-механического полирования ?/.$
Ш.2. Исследование возможности снижения параметра разнотолщинности в полированных пластинах арсенида и фосфида галлия диаметром 76 мм Zfx/
IV.3 Выбор компонентов полирующей суспензии для химико- механического полирования пластин фосфида индия
IV.4 Выводы по главе IV
Выводы <.f.r
Литература

Рекомендуем вам товары

99 000 UZS
Автор
Мельник, Виктор Иванович
Количество страниц
Год
2000
99 000 UZS
Автор
Косушкин, Виктор Григорьевич
Количество страниц
Год
2000
99 000 UZS
Автор
Красников Анатолий Сергеевич
Количество страниц
Год
2002
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3