Введение
1. АНАЛИЗ ОПУБЛИКОВАННЫХ МАТЕРИАЛОВ ПО ИЗУЧАЕМОМУ ВОПРОСУ
1.1. Рентгеноспектральный микроанализ тонких субмикронных слоев на массивных подложках
1.2. Экспериментальные методы определения функции распределения первично генерированного ХРИ по глубине образца 25
1.3. Теоретические методы расчета функции распределения первично генерированного ХРИ по глубине образца 34
1.4. Применение вариации утла отбора рентгеновского излучения для определения толщины и состава тонких пленок на подложках 45
2. МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА 44
2.1. Аппаратура 44
2.2. Методика измерений 45
2.3. Исследование воспроизводимости и правильности результатов измерений 52
3. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ ФУНКЦИЙ РАСПРЕДЕЛЕНИЯ
ПЕРВИЧНО ГЕНЕРИРОВАННОГО ХАРАКТЕРИСТИЧЕСКОГО РЕНТГЕНОВСКОГО ИЗЛУЧЕНИЯ ПО ГЛУБИНЕ ОБРАЗЦОВ 60
3.1. Постановка задачи 60
3.2. Численное обращение преобразования Лапласа 62
3.3. Экспериментальные результаты 67
3.4. Модель для расчета распределения ХРИ по глубине образцов 78
3.5. Проверка правильности модели расчета распределения ХРИ по глубине образцов 92
4. РАЗРАБОТКА СПОСОБА ВАРИАЦИИ УГЛА ОТБОРА РЕНТГЕНОВСКОГО ИЗЛУЧЕНИЯ И ПРИМЕНЕНИЕ ЕГО ДЛЯ АНАЛИЗА ТОНКИХ ПЛЁНОК НА ПОДЛОЖКАХ 96
4.1. Разработка способа вариации угла отбора рентгеновского излучения и исследование воспроизводимости и правильности результатов анализа 96
4.2. Анализ полупроводниковых эпитаксиальных слоев твердых растворов Ga. AB-V S& на подложках GaS6. 106
4.3. Анализ полупроводниковых эпитаксиальных слоев твердых растворов на подложках .
4.4. Анализ сверхпроводящих пленок Мэ-SlHa сапфире И8
4.5. Анализ магнитных дисков 123
4.6. Анализ омических контактов Sn~/Vl на подложках Si и GaAs 426
4.7. Анализ структур 130
ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ РАБОТЫ И ВЫВОДЫ 135
ЗАКЛШЕНИЕ 137
ЛИТЕРАТУРА 139
ПРИЛОЖЕНИЯ 155
