Введение
Глава 1. Резонансно-туннельный диод (Обзор литературы) 11
Глава 2. Одномерное моделирование резонансно-туннельных диодов и экстракция параметров эквивалентной схемы РТД 25
2.1. Введение 25
2.2. Описание модели и программы моделирования 26
2.3. Процедура вычислений 33
2,4. Эквивалентная схема РТД и экстракция его SPICE параметров из результатов расчётов 44
2.5. Обобщённые граничные условия на гетероинтерфейсе в методе огибащих волновых функций 60
2.6. Выводы 66
Глава 3. Влияние двумерных эффектов связанных с протеканием тока в тонких контактных слоях на ВАХ РТД 68
3.1. Введение 68
3.2. Описание аналитической модели 70
3.3. Сравнение аналитических расчетов с результатами численного моделирования 80
3.4. Выводы. 84
Глава 4. Учет влияния крупных шероховатостей гетероинтерфейса на ВАХ резонансно-туннельных диодов . 85
4.1. Введение 85
4.2. Моделирование шероховатостей гетероинтерфейса методом некогерентного усреднения 86
4.3. Исследование применимости метода некогерентного усреднения путем решения двумерного уравнения Шрёдингера в волноводной модели 97
4.4. Выводы 103
Заключение 105
Список использованной литературы 107
