Введение
1 Состояние проблемы и задачи исследования 12
1.1 Фотоприемники ИК диапазонов 3...5и8...14 мкм 12
1.2 Состояние проблемы согласования параметров приемников и оптико-электронных 16 систем
1.3 Задачи исследования 21
2 Параметры фотодиодов ИК диапазонов 3... 5 и 8... 14 мкм 23
2.1 Чувствительность и обнаружительная способность фотодиодов 23
2.2 Коэффициент поглощения в кейновских полупроводниках 25
2.3 Квантовая эффективность фотодиодов 29
3 Измерение параметров материалов и исследование их свойств 32
3.1 Разработка методов и средств контроля электрофизических и фотоэлектрических 32 параметров материалов InSb, РЬТе и CdHgTe
3.2 Исследование электрофизических свойств InSb и РЬТе 35
3.3 Исследование электрофизических свойств CdHgTe 40
3.4 Выводы 59
4 Фотодиоды на InSb, РЬТе и CdHgTe 61
4.1 Технология изготовления фотодиодов на InSb, РЬТе и CdxHgi xTe 61
4.2 Исследование электрических характеристик фотодиодов на InSb и РЬТе 67
4.3 Исследование электрических характеристик фотодиодов на CdHgTe 75
4.4 Квантовая эффективность, чувствительность и обнаружительная способность фото- 96 диодов на InSb, РЬТе и CdHgTe
4.5 Фотогальванические многоцветные приемники инфракрасного диапазона 118
4.6 Конструкция и параметры фотодиодов ИК диапазона 133
4.7 Выводы 140
5 Фотоприемники в составе оптико-электронных систем 143
5.1 Крутизна преобразования фотодиодов с кейновской зонной структурой 143
5.2 Оптическая передаточная функция фотодиодов ИК диапазона с кейновской зонной структурой
5.3 Фотодиоды для гетеродинного детектирования на СОг-лазере 153
5.4 Пороговая разность температур оптико-электронной системы с фотодиодами на основе твердых растворов
5.5 Фотодиоды ИК спектра с охлаждаемыми длинноволновыми фильтрами 173
5.6 Анализ параметров фотоприемных устройств с фотодиодами на CdHgTe 177
5.7 Иммерсионные фотодиоды ИК диапазона на CdHgTe 180
5.8 Выводы 196
6 Характеристики тепловых объектов и применение фотодиодов 198
6.1 Пространственно-частотная характеристика объекта переменной яркости 198
6.2 Передача контраста переменного по яркости объекта фото детектором с кольцевыми 202 p-w-переходами
6.3 Методы определения теплофизических характеристик материалов 210
6.4 Многоспектральная ИК дефектоскопия 222
6.5 Оптимизация блоков устройства для ИК дефектоскопии 233
6.6 Выводы 240
Заключение 242
Литература
Приложение 267
