Создание и исследование фоточувствительных структур на основе контакта металл-широкозонный полупроводник

Ламкин Иван Анатольевич. Создание и исследование фоточувствительных структур на основе контакта металл-широкозонный полупроводник: диссертация ... кандидата технических наук: 05.27.01 / Ламкин Иван Анатольевич;[Место защиты: Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им.В.И.Ульянова (Ленина)"].- Санкт-Петербург, 2015.- 134 с.
Автор
Ламкин Иван Анатольевич
Год
2015
  • 99 000 UZS

Оглавление диссертации
Введение
Глава 1. Обзор литературы 13
1.1 Контакт металл-полупроводник 13
1.1.1 Омический контакт, барьер Шоттки 13
1.1.2 Высота барьера Шоттки 15
1.2 Омические контакты к эпитаксиальным слоям твердых растворов AlxGa1-xN 18
1.3 Фоточувствительные структуры на основе широкозонных полупроводников 27
1.3.1 Особенности фоточувствительных структур для УФ-диапазона спектра 27
1.3.2 Фоточувствительные структуры на основе полупроводниковых твердых растворов AlxGa1-xNи алмаза 29
1.3.3 Фоточувствительные структуры на основе барьера Шоттки металл-GaAs1-xPx 42
1.3.4 Области применения фоточувствительных структур на основе широкозонных полупроводников 44
1.4 Выводы по главе 1 46
Глава 2. Установки для создания структур и исследования их характеристик
2.1 Вакуумная установка для формирования фоточувствительных структур металл - полупроводник и ее модернизация 54
2.2 Установка для исследования спектров фоточувствительных структур и ее модернизация
2.3 Установка для измерения электрических характеристик структур и ее автоматизация
2.4 Выводы по главе 2 з
Глава 3. Разработка технологии создания омических контактов к широкозонным полупроводникам: AlxGa1-xN, CVD алмаз 58
3.1 Технология создания Al омических контактов к эпитаксиальным слоям n-AlxGa1-xN 58
3.2 Технология создания Ti/Al омических контактов к эпитаксиальным слоям n-AlxGa1-xN 60
3.4 Выводы по главе 3 71
Глава 4. Фоточувствительные структуры металл-широкозонный полупроводник 73
4.1 Технология создания фоточувствительных структур на основе AlxGa1-xN 73
4.2 Исследования свойств барьеров Шоттки к n-AlxGa1-xN 76
4.3 Влияние технологических факторов на характеристики фоточувствительных структур на основе AlxGa1-xN 78
4.4 Фоточувствительные структуры с барьером Шоттки Ag-AlxGa1-xN 89
4.5 Фоточувствительные структуры с барьером Шоттки Au-AlxGa1-xN 93
4.6 Исследование свойств барьеров Шоттки к p-CVD алмазу 103
4.7 Выводы по главе 4 110
Глава 5. Исследование свойств фоточувствительных структур Ag-GaAs1-xPx 112
5.1 Технология создания фоточувствительных структур Ag-GaAs1-xPx 112
5.2 Характеристики и параметры фоточувствительных структур Ag-GaAs1-xPx 113
5.3 Высота барьера Шоттки Ag-GaAs1-xPx 118
5.4 Выводы по главе 5 120
Заключение 122
Список литературы

Рекомендуем вам товары

99 000 UZS
Автор
Бедная Татьяна Алексеевна
Количество страниц
Год
2014
99 000 UZS
Автор
Гудовских Александр Сергеевич
Количество страниц
Год
2014
99 000 UZS
Автор
Еськов Андрей Владимирович
Количество страниц
Год
2014
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3