Введение
Глава 1. Нелинейные модели полевых транзисторов 13
1.1 Автоматизированная методика построения нелинейных моделей 14
1.2 Методика построения нелинейных моделей транзисторов с субмикронным затвором ФГУП НПП «ИСТОК» 17
1.3 Сравнение различных типов нелинейных моделей 22
Глава.2. Амплитудные методы измерения характеристик полевых СВЧ транзисторов 30
2.1 Амплитудный метод определения импедансов транзистора 30
2.2 Метод получения S - параметров четырехполюсников на СВЧ с использованием амплитудных измерений амплитуды проходящей и отражённой волны 47
Глава 3. Усилители мощности на сосредоточенных элементах 51
3.1 Методика определения электрических характеристик транзистора и параметров согласующих цепей на сосредоточенных элементах с помощью слепков 51
3.2. Согласующее-суммирующие цепи на сосредоточенных элементах 56
3.3 Разработка 10 ваттного внутрисогласованного транзистора S - диапазона 64
Глава 4. Усилители мощности и ВСТ -S, -С, -X, -Ки диапазонов 68
4.1 Усилители мощности и ВСТ для АФАР X - диапазона 68
4.2 Разработка ВСТ -S, -С, -X, -Ки диапазонов 72
4.2.1. Разработка ВСТ С - диапазона 75
4.2.2. Разработка ВСТ X - диапазона 80
4.2.3. Разработка ВСТ Ки - диапазона 84
4.3 Импульсный усилитель мощности Ки - диапазона 87
4.4 Балочные выводы для транзистора 93
Заключение 95
Литература 96
