Введение
Глава 1. Физические проблемы диагностики и мониторинга плазменных методов формирования микро- и наноструктур (введение) 18
1.1. Требования к плазменным технологиям при формировании субмикронных и Наноразмерных кремниевых структур 18
1.2. Плазмохимические реакторы для микроэлектроники 25
1.3. Механизмы взаимодействия химически активной плазмы с поверхностью Микроструктур 38
1.4. Физические принципы мониторинга плазменных микроэлектронных технологий 48
1.5. Постановка задач исследования (выводы по главе 1) 78
глава 2. Исследование параметров плотной плазмы в широкоапертурных реакторах микроэлектроники низкого давления и их оптимизация для технологических целей 80
2.1. Проблемы измерений параметров плазмы электроотрицательных газов ленгмюровским зондом в вч- и свч- реакторах 80
2.2. Сравнительные характеристики плотной плазмы реакторов низкого давления на базе свч эцр разряда и вч пленарного индуктивного разряда 89
2.3. Оптимизация латеральной однородности плазмы в новых широкоапертурных реакторах с источниками плотной плазмы (ипп) 102
2.4. Выводы по главе 2 113
Глава 3. Эмиссионная актинометрия активных радикалов плазмы как метод характеризации плазмохимических реакторов для микро- и наноэлектроники 114
3.1. Анализ условий достоверности эмиссионной актинометрии в реакторах с источниками плотной плазмы низкого давления 115
3.2. Исследование эффективности генерации химически активных радикалов в лотной плазме фторсодержащих газов эмиссионной актинометрией 119
3.3. Актинометрическое измерение газовой температуры нейтралов в плазмохимических реакторах спектроскопией умеренного разрешения 12
3.4. Выводы по главе 3 147
Глава 4. Разработка новых методов зондовои диагностики плазмы для мониторинга плазменного травления микроструктур 148
4.1. Разработка метода динамического легмюровского зонда для измерений в пленкообразующей плазме низкого давления 149
4.2. Исследование влияния термоэмиссионных эффектов при зондовых измерениях в плотной химически активной плазме низкого давления 158
4.3. Зондовый мониторинг плазмохимического травления многослойных микроэлектронных структур 167
4.4. Выводы по главе 4 184
Глава 5. Спектральная диагностика процессов плазменного травления и осаждения при формировании ис 185
5.1. Исследование in situ скорости плазмохимического травления слоев и селективности процесса на структурах кремний (поликремний) - si02
Актинометрическими методами 185
5.2. Улучшение чувствительности определения момента окончания процесса при малой площади окон травления применением синхронного спектрального детектирования 195
5.3. Анализ однородности скорости травления слоя по площади пластины по данным оптической эмиссионной актинометрии 206
5.4. Мониторинг плазмохимического осаждения тонких и ультратонких диэлектрических пленок спектральной эллипсометрией in situ 216
5.5. Выводы по главе 5 222
Глава 6. Томографическое исследование пространственной однородности плазмы в условиях предельно малого числа ракурсов 223
6.1. Задачи эмиссионной диагностики плазмы с пространственным разрешением в технологических реакторах 223
6.2. Разработка алгоритмов томографической реконструкции спектральных данных в Двухракурсной схеме сканирования 229
6.3. Экспериментальное исследование латеральной однородности плазмы Технологических реакторов спектрально разрешенной эмиссионной Томографией 242
6.4. Выводы по главе 6 251
Заключение (основные выводы) 252
Публикации автора по теме диссертации 255
Список цитируемой литературы
