Оптические свойства резонансных состояний мелких доноров в полупроводниковых гетероструктурах с квантовыми ямами и объемных полупроводниках

Гавриленко Людмила Владимировна. Оптические свойства резонансных состояний мелких доноров в полупроводниковых гетероструктурах с квантовыми ямами и объемных полупроводниках : дис. ... канд. физ.-мат. наук : 05.27.01 Н. Новгород, 2006 151 с. РГБ ОД, 61:07-1/152
Автор
Гавриленко Людмила Владимировна
Год
2006
  • 99 000 UZS

Оглавление диссертации
Введение
Глава 1. Состояния мелких доноров в объемных полупроводниках и квантовых ямах: теоретические и экспериментальные исследования (обзор литературы) 14
1.1 Мелкие доноры в объемных полупроводниках 14
1.2 Состояния мелких доноров в гстероструктурах с квантовыми ямами. Резонансные состояния 19
1.2.1 Модели расчета состояний мелких доноров в КЯ GaAs/AlGaAs. 19
1.2.2 Симметрия донорных состояний в КЯ 24
1.2.3 Резонансные состояния мелких доноров в КЯ 28
1.2.4 Математические методы, применяемые для описания состояний мелких доноров в КЯ 31
1.2.5 Экспериментальные исследования резонансных состояний 33
1.3 Инверсия населенностей между резонансным и локализованным состоянием 35
1.4 Резонанс Фано в спектре фототока легированных полупроводников .38
Глава 2. Резонансные состояния мелких доноров в гетеросіруктурах с квантовыми ямами GaAs/AlxGai.xAs 44
2.1. Метод расчета состояний мелких доноров в КЯ GaAs/AlxGai.xAs 44
2.2. Волновые функции и спектр энергии мелких доноров в КЯ 48
2.3. Рассеяние электронов в резонансном состоянии полярными оптическими фононами 58
2.4. Дипольные переходы электронов 66
2.5. Расчет состояний мелких доноров в квантовых ямах в магнитном поле методом разложения по плоским волнам 70
2.5.1. Метод расчета состояний мелких доноров в КЯ в магнитном поле. 71
2.5.2. Результаты расчетов состояний мелких доноров в КЯ в магнитном поле 74
Глава 3. Моделирование латерального электронного транспорта в условиях примесного пробоя в КЯ 78
3.1. Модель расчета 78
3.2. Ударная ионизация 84
3.3. Оже-захват электронов на уровни мелких доноров 96
3.4. Захват электронов в донорное состояние при испускании фононов 99
3.5. Результаты моделирования примесного пробоя 102
Глава 4. Резонансы Фано в спектре фототока объемных полупроводников GaAs и InP и в гетерострукгурах GaAs/AlGaAs с КЯ, легированных мелкими донорами . 105
4.1 Модель примесного поглощения света с участием электрон-фононного взаимодействия 105
4.2 Расчет резонанса Фано в спектре фототока для водородоподобного донора 112
4.2.1. Сравнение теории и эксперимента для w-GaAs и н-InP 114
4.3 Резонансы Фано в квантовых ямах, легированных мелкими донорами ... 120
Заключение 130
Приложение 1 132

Рекомендуем вам товары

99 000 UZS
Автор
Гаврилин Евгений Юрьевич
Количество страниц
Год
2006
99 000 UZS
Автор
Фёдоров Роман Александрович
Количество страниц
Год
2007
99 000 UZS
Автор
Федотов Александр Александрович
Количество страниц
Год
2007
99 000 UZS
Автор
Карачинов Дмитрий Владимирович
Количество страниц
Год
2006
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3