Введение
1. Современное состояние проблемы синтеза и модификации материалов кремниевой онтоэлсктропики 17
1.1. Структура и оптические свойства кристаллического кремния 17
1.2. Основные подходы к решению задач кремниевой оптоэлектроники 20
1.3. Основные методы синтеза полупроводниковых соединений на основе кремния 28
1.4. Импульсно-лучевые методы модификации кремниевых структур 35
2. Объекты и методы эксперимента 40
2.1. Ионная имплантация и термическая обработка кремниевых етруктур 40
2.2. Импульсные методы обработки имплантированных структур 41
2.3. Методы исследования структуры, фазового состава и морфологии поверхности синтезированных слоев 44
2.4. Методы исследования оптических свойств синтезированных слоев...46
3. Формирование тонконленочных структур на основе кубического карбида кремнии на кремнии 49
3.1. Компьютерное моделирование процессов нагрева, плавления и кристаллизации кремния импульсными энергетическими воздействиями 49
3.2. Особенности импульсного синтеза слоев карбида кремния на кремнии 51
3.3. Оптические свойства пористых структур на основе карбида кремния 60
4. Формирование тонкоплспочных структур на основе полупроводникового дисилнцида железа на кремнии 66
4.1. Особенности импульсного синтеза слоев дисилнцида железа на кремнии 66
4.1.1. Термическая обработка имплантированного кремния 66
4.1.2. Импульсная ионная обработка имплантированного кремния 69
4.1.3. Импульсная лазерная обработка имплантированного кремния 79
4.2. Оптические свойства имиульсно-синтезированных слоев дисилнцида железа 88
4.2.1. Оптическое поглощение синтезированных слоев дисилнцида железа 88
4.2.2. Фотолюминесценция синтезированных слоев дисилнцида железа 90
4.3. Особенности перераспределения атомов железа в кремнии при импульсных воздействиях. Эксперимент и компьютерное моделирование 96
Заключение 106
