Введение
1. Технологии получения, структура и свойства слоев сложных оксидов УВа2Си307 для компонентов электронной техники и электроэнергетики 10
1.1. Область применения тонких слоев высокотемпературных сверхпроводников 10
1.2. Общие сведения структуре и методах получения тонких слоев YBa2Cu307-5 13
1.2.1. Структура и свойства сложных оксидовYBa2Cu307-5 13
1.2.2. Методы получения тонких пленок YBa2Cu307-5 14
1.3. Осаждение пленок YBa2Cu307.5 методом магнетронного распыления 19
2. Получение тонких пленок сложных оксидов YBa2Cu307 методом магнетронного распыления 33
2.1. Особенности и преимущества магнетронной распылительной системы 33
2.2. Описание установки, метод получения тонких пленок сложных оксидов YBa2Cu307 магнетронным распылением 37
2.2.1. Описание конструкции магнетронной распылительной системы 38
2.2.2. Метод получения тонких пленок УВа2Си307магнетронным распылением 44
2.2.3. Методика измерения толщины полученных пленок и зависимость скорости роста пленок от тока разряда 48
3. Методы получения, состав, структура и свойства мишеней 54
3.1. Методы получения наноструктурированных керамических мишеней
3.2. Фазовый состав, структура, и морфология мишеней 58
3.3. Температурные зависимости электросопротивления мишеней 64
4. Структура, морфология и свойства тонких пленок YBa2Cu3O7-5 74
4.1. Структура, морфология и свойства тонких пленок YBa2Cu3O7-5, полученных распылением мишени, изготовленной по керамической технологии 75
4.2. Структура, морфология и свойства тонких пленок YBa2Cu3O7-5, полученных распылением наноструктурированной керамической мишени 85
4.3. Структура, морфология и свойства тонких пленок YBa2Cu3O7-5,
полученных распылением мишени, изготовленной по
керамической технологии с добавкой нанопорошка 91
4.4. Спектры излучения плазмы при распылении мишеней из микро- и
нанокристаллической керамик 104
Выводы 113
Список литературы
