Введение
Глава 1. Гетерогенные системы А В - А2 Сз с эпитаксиальными слоями 1п2Тез и In2xGa2(i-X)Te3 на подложках InAs 17
1.1. Свойства и способы синтеза соединений А2 Сз и технологические возможности формирования гетероструктур А В - А2 Сз 17
1.2. Формирование гетероструктур 1п2Тез - InAs и in2xGa2(i X)Te3 - InAs методом термического испарения в квазизамкнутом объёме 33
1.3. Кристаллическая структура слоев In2xGa2(i.X)Te3 и концентрационные профили компонентов гетероструктур In2xGa2(i X)Te3-InAs, синтезированных в квазизамкнутом объёме 59
1.4. Механизмы токопрохождения в тонких слоях 1п2Тез и In2xGa2(i.X)Te3, сформированных напылением на подложках InAs 74
1.5. Параметры центров локализации заряда в слоях 1п2Тез и In2xGa2(i.x)Te3 88
Выводы по первой главе 98
Глава 2. Термостимулированное гетеровалентное замещение анионов в монокристаллах соединений А В атомами халькогена 100
2.1. Взаимодействие монокристаллов соединений А В с элементами VI В
группы Периодической системы 100
2.2. Синтез гетероструктур А В -А2 Сз методом термостимулиро-ванного гетеровалентного замещения в анионной подрешётке 104
2.3. Механизм роста пленок А2 Сз на поверхности А В в процессе гетеровалентного замещения 127
2.4. Лазерностимулированное формирование сильнолегированных областей в гетероструктурах AinBv-A2inC3V 142
Выводы по второй главе 146
Глава 3. Кристаллическая структура слоев А2 Сз и переходных областей в гетероструктурах типа А В -Аг Сз , полученных методом гетеровалентного замещения в квазизамкнутом объёме 148
3.1. Полиморфизм кристаллической структуры в тонких плёнках нормальновалентных соединений А2 Сз 148
3.2. Новые модификации псевдоморфных фаз In2Se3 и Ga2Se3, полученных в реакции твердофазного гетеровалентного замещения в анионной подрешётке 177
Выводы по третьей главе 189
Глава 4. Электрофизические свойства гетероструктур А В - А2 Сз , полученных методом гетеровалентного замещения 191
4.1. Центры локализации заряда в тонкоплёночных фазах А2 Сз , полученных на подложках InAs методом гетеровалентного замещения 191
4.2. Концентрационные профили свободных носителей заряда в гетероструктурах типа А1 - A2inC3VI - AniBv 208
4.3. Экранирование электрического поля в гетероструктурах AniBv-A2niC3VI 215
4.4. Кинетика перезарядки глубоких уровней при обмене носителями заряда между уровнями и разрешёнными зонами 230
4.5. Нелинейные эффекты гистерезисного типа, обусловленные перезарядкой глубокоуровневых центров в запрещённой зоне полупроводников А2 Сз 246
Выводы по четвёртой главе 255
Глава 5. Диффузионно-кинетические процессы в гетерогенных системах AniBv-A2niC3VI 258
5.1. Описание диффузии атомов в твердотельной среде с ограниченной концентрацией стохастически распределённых равновесных положений с помощью интегро-дифференциального уравнения диффузии 258
5.2. Сегрегация атомов в гетерофазных системах А В - А2 Сз в реакции термостимулированного гетеровалентного замещения 274
5.3. Модель диффузии атомов в двухуровневой энергетической системе равновесных положений фазы А2 Сз 279
5.4. Начальная стадия роста плёнок А2 Сз на подложках А В в процессе гетеровалентного замещения 291
5.5. Зародышеобразование фазы А2 Сз и кинетика роста уединённого зародыша фазы А2 Сз на поверхности А В в процессе формирования гетероструктур А В -А2 Сз методом термостимулированного гетеровалентного замещения 298
Выводы по пятой главе 312
Глава 6. Эволюция концентрационных профилей компонентов в гетероструктурах А В -А2 Сз , полученных методом гетеровалентного замещения на стадии планарного роста 315
6.1. Физическая модель стадии планарного роста слоя А2 Сз на поверхности кристалла А В 315
6.2. Математическая модель стадии формирования сплошного слоя А2 Сз на подложке А В 317
6.3. Самоорганизация концентрационных профилей компонентов планарных гетероструктур А В -А2 Сз 323
6.4. Квазиравновесная доставка в зону реакции и квазистационарная диффузия халькогена 329
Выводы по шестой главе 336
Заключение 337
Основные результаты и выводы 338
Литература 3
