Введение
1 Динамика сверхпроводящего параметра порядка в грязных сверхпроводящих мостиках и кольцах. Локальное приближение 21
1.1 Уравнения, описывающие динамику сверхпроводящего параметра порядка в грязных сверхпроводниках в окрестности критической температуры 22
1.2 Динамика сверхпроводящего параметра порядка при переходах между метастабильными состояниями в однородном сверхпроводящем кольце 28
1.3 Особенности изменения завихренности в неоднородном сверхпроводящем кольце субмикронного радиуса 46
1.4 Зависимость гистерезиса вольтамперной характеристики сверхпроводящего мостика от его длины 53
1.5 Процесс проскальзывания фазы в мостиках конечной длины в режиме приложенного напряжения 62
1.6 Процесс проскальзывания фазы в мостиках конечной длины в присутствии низкочастотного электромагнитного излучения 71
1.7 Влияние магнитного поля на критические токи процесса проскальзывания фазы 80
2 Трансформация движущейся решетки вихрей Абрикосова, вызванная неравновесными эффектами 86
3 Диодный эффект и неравновесные эффекты в холловском сверхпроводящем мостике
3.1 Нелокальный отклик и диодный эффект в сверхпроводящем холловском мостике 106
3.2 Влияние неравновесных эффектов на нелокальный отклик в холловском мостике 114
4 Стационарные состояния квазиодномерного сверхпроводящего мостика, ограниченного нормальными берегами , в режиме приложенного напряжения 128
4.1 Симметричные и асимметричные состояния в сверхпроводящем мостике, соединенном с нормальными берегами 129
4.2 Изменение критического тока сверхпроводящего мостика при переключении сверхпроводящих берегов в нормальное состояние 144
5 Пороговые (седловые) флуктуации в узких сверхпроводящих пленках 157
5.1 Пороговые флуктуации в узких сверхпроводящих пленках в нулевом магнитном поле 158
5.2 Вихревой механизм отрицательного магнитосопротивления узких сверхпроводящих пленок 169
6 Фотоиндуцированное рождение пары вихрь-антивихрь в токонесущей узкой сверхпроводящей пленке 196
6.1 Модифицированная модель горячего пятна 197
6.2 Критические токи Ipair и Ipass узких сверхпроводящих пленок с горячим пятном, локализованным в центре пленки 201
6.3 Зависимость критического тока IpaSs от энергии, требуемой для создания горячего пятна. Сравнение с экспериментом 206 Заключение 211
Список цитированной литературы 214
Список публикаций по теме диссертации 232
