Введение
1. Процессы формирования структур SiC/Si и SiC на изолирующих подложках 11
1.1 Сублимационная эпитаксия 12
1.2 Газофазная эпитаксия 15
1.3 Эндотаксия 20
1.4 Термическое испарение материала,пленки в вакууме 22
1.5 Ионно-плазменное распыление 24
1.6 Катодное распыление 25
1.7 Магнетронное распыление 29
2. Кинетические явления в полупроводниках на сверхвысоких частотах 34
2.1 Высокочастотный эффект Холла 35
2.2 Понятие магниторезистивного явления в полупроводниках 36
2.2.1 Эффект магнетосопротивления (Гаусса) 36
2.2.2 Магниторезистивный эффект на СВЧ 39
2.2.3 Методы исследования магниторезистивных свойств в полупроводниках 43
2.2.4 Методы исследования магниторезистивного эффекта на СВЧ 46
2.3 Инерционные явления в полупроводниках на сверхвысоких частотах 49
2.3.1 Механизм проявления инерции электронного газа 50
2.3.2 Явление инерции в гальваномагнитных эффектах 52
2.4 Термоэдс "горячих" носителей тока в полупроводниках 54
2.5 Радиоэлектрический эффект 59
3. Преобразователи СВЧ мощности на основе гетероструктур п- SiC/p-Si и n-SiC на изолирующих подложках 66
3.1. Контролируемые параметры материала для преобразователей сверхвысоких частот 66
3.2 Преобразователи n-SiC/p-Si и n-SiC на изолирующих подложках, полученные методом магнетронного напыления для исследования на сверхвысоких частотах 68
3.2.1 Получение гетероструктур п-ЗС-SiC на кремниевых и изолирующих подложках 68
3.2.3 Технология получения преобразователей СВЧ мощности на основе гетероструктур n SiC/p-Si и п SiC/изолятор 77
3.2.4 Измерение ВАХ гетероструктур SiC/Si, поликор, ситал 83
3.3 Преобразователи n-SiC/p-Si и n-SiC на изолирующих подложках для исследования магнетосопротивления 84
3.3.1 Исследование свойств гетероструктур n-SiC/p-Si и n-SiC на изолирующих подложках 84
4. Электрофизические свойства и исследование в СВЧ дипазоне преобразователей на основе гетероструктур n-SiC/p-Si и n-SiC на изолирующих подложках 87
4.1 Исследование радиоэлектрического эффекта в гетероструктурах карбида кремния в 3-х см диапазоне длины волны 89
4.2 Исследование радиоэлектрического эффекта в гетероструктурах карбида кремния в 8 мм диапазоне длины волны 95
4.3 Исследование радиоЭДС в области температур от +20 С до +300 С. 96
4.4 Определение коэффициента стоячей волны и оценка влияния термоЭДС 97
4.5 Явление инерционности носителей заряда в электромагнитном поле СВЧ волны 101
4.6 Исследование магниторезистивного эффекта на постоянном токе 103
4.7 Исследование магниторезистивного эффекта на СВЧ 105
Заключение 110
