Тепловой режим полупроводниковых источников света при ускоренных испытаниях на надежность и долговечность

Гончарова Юлия Сергеевна. Тепловой режим полупроводниковых источников света при ускоренных испытаниях на надежность и долговечность: диссертация ... кандидата Технических наук: 05.11.07 / Гончарова Юлия Сергеевна;[Место защиты: ФГБОУ ВО Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники], 2016.- 145 с.
Автор
Гончарова Юлия Сергеевна
Год
2016
  • 99 000 UZS

Оглавление диссертации
Введение
ГЛАВА 1. Полупроводниковыеисточники света 13
1.1 Люминофоры для полупроводниковых источников белого света 22
1.2 Процессы выделения и отвода тепла в полупроводниковых источниках света
1.3 Методы измерения температуры кристаллов полупроводниковых источников света 32
1.4 Ускоренные испытания полупроводниковых источников света на надежность и долговечность 36
1.5 Основные виды отказов полупроводниковых источников света, возникающие в процессах эксплуатации и испытаний
1.5.1 Деградация активной области светодиодов 46
1.5.2 Деградация электродов 48
1.5.3 Тепловая деградация 49
1.5.4 Электростатический разряд и электрическая перегрузка 49
1.5.5 Термическая усталость и короткое замыкание 50
1.6 Выводы 51
ГЛАВА 2. Объекты и методы исследования, оборудование 52
2.1 Полупроводниковые источники света типа КИПД 154А92,КИПД154Г92 52
2.2 Используемые методы исследования электрических и фотометрических параметров и режимов работы полупроводниковых источников света
2.2.1 Методы измерений вольт-амперных и вольт-фарадных характеристик 56
2.2.2 Измерение теплового сопротивления полупроводниковых источников света 58
2.2.3 Методика измерения спектральных характеристик 62
2.2.4 Измерение мощности и внешнего квантового выхода излучения 63
2.2.5 Гонио-фотометрический метод измерения величины световового потока, диаграммы направленности и координат цветности
2.3 Оборудование для испытаний на надежность и долговечность 67
2.4 Методы испытаний на надежность и долговечность
2.4.1 Рекомендации по проведению испытаний 69
2.4.2 Методы анализа отказов полупроводниковых источников света после ускоренных испытаний 70
2.5 Выводы 71
ГЛАВА 3. Исследование тепловых процессов в полупроводниковых источниках света 72
3.1 Расчет теплового сопротивления источника света 73
3.2 Измерение теплового сопротивления полупроводниковых источников света КИПД154А92в корпусах типа 5050-1,2 79
3.3 Измерение температуры перехода по длине волны максимума спектра излучения и полуширине спектра излучения 85
3.4 Спектры излучения люминофоров 92
3.5 Гранулометрический состав люминофоров 97
3.6 Тепловой режим люминофорного покрытия 100
3.7 Выводы 104
ГЛАВА 4. Исследование и выбор тепловых режимов ускоренных испытаний полупроводниковых источников света 105
4.1 Определение кажущейся энергии активации по результатам электротермотренировки при ступенчато возрастающей нагрузке 105
4.2 Ускоренные испытания полупроводниковых источников света 114
4.3 Характерные виды отказов полупроводниковых источников света типа КИПД154А при ускоренных испытаниях 122
4.4 Прогноз долговечности полупроводниковых источников света на основе результатов ускоренных испытаний в течении 1000 – 2000 часов 129 4.5 Выводы 132
Заключение 133
Список литературы

Рекомендуем вам товары

99 000 UZS
Автор
Айман Обейд
Количество страниц
Год
2005
99 000 UZS
Автор
Бугаенко Адольф Георгиевич
Количество страниц
Год
2005
99 000 UZS
Автор
Новиков Александр Александрович
Количество страниц
Год
2008
99 000 UZS
Автор
Иванов Александр Николаевич
Количество страниц
Год
2007
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3