Введение
Глава 1. Эффекты поляронного взаимодействия в двумерных электронных системах на основе GaAs (Обзор) 23
1.1. Поляроны в полупроводниках. 23
1.2. Резонансное поляронное взаимодействие . 27
1.3. Линии LO-фононов в туннельных спектрах переходов на основе GaAs 31
Глава 2. Изготовление туннельных переходов методом МЛЭ и характеристики образцов . 36
2.1. Технология МЛЭ изготовления туннельной структуры Al/5-GaAs 36
2.2. Основные параметры туннельных структур Al/5-GaAs 48
Глава 3. Методические особенности измерений туннельных спектров, их анализа и обработки . 52
3.1. Формулы для анализа туннельных характеристик структур Al/5-GaAs. 52
3.2. Методики измерения туннельных спектров, определение положений уровней в ДЭС и сравнение с расчетом . 56
3.3. Выделение многочастичных особенностей в туннельных спектрах 68
3.4. Туннельная плотность состояний в области сверхпроводящей щели в алюминиевом электроде структуры Al/5-GaAs. 72
Глава 4. Магнитотранспортные измерения в приповерхностных 8-легированных слоях 77
4.1. Структуры приповерхностными 5-слоями 77
4.2. Зависимость подвижности в заполненых подзонах ДЭС от напряжения на металлическом затворе 83
4.3. Структура с двумя 8-слоями 92
4.4. Выводы 96
Глава 5. Эффект замороженной туннельной фотопроводимости 97
5.1. Основные проявления эффекта ЗТФП при температуре 4.2К 97
5.2. Влияние геометрии затворов и энергии кванта излучения на эффект ЗТФП 102
5.3. Температурная граница эффекта ЗТФП 112
5.4. Заключительные замечания и выводы 118
Глава 6. Диамагнитный сдвиг уровней и резонансные поляронные эффекты в приповерхностном 8-слое 119
6.1. Зависимость туннельных спектров от продольного 5-слою магнитного поля 121
6.2. Резонансные поляроны в приповерхностном 5-слое 128
6.3. Выводы 134
Глава 7. Линии LO-фононов в туннельных спектрах ДЭС 135
7.1. Линии LO-фононов в туннельных спектрах структур Al/GaAs с 3D и 2D электродом в GaAs 135
7.2. Эффект отражения электронов при туннелировании в ДЭС на пороге эмисии LO-фонона 140
7.3. Зависимость эффекта отражения от плотности ДЭС 147
7.4. Поляронные особенности в собственной энергии электрона в ДЭС 149
7.5. Выводы 153
Глава 8. Туннельная плотность состояний на поверхности Ферми в ДЭС 8- легированного слоя GaAs 154
8.1. Вводные замечания 154
8.2. Туннельно-спектроскопические исследования ДЭС 8-слоя при гидростатических давлениях 156
8.3. Зависимость туннельной плотности состояний на поверхности Ферми от концентрации электронов в ДЭС 163
8.4. Зависимость аномалии при нулевом смещении в туннельных спектрах от магнитного поля для структур скр>\0 171
8.5. Выводы 180
Глава 9. Отклик туннельных структур на импульсное излучение субмиллиметрового лазера с оптической накачкой 181
9.1. Вводные замечания 183
9.2. Отклик структур Al/5-GaAs на излучение с длинами волн 90и250мкм 183
9.3. Фотоотклик структур с двойным (разрезным) затвором 191
9.4. Выводы 196
Заключение 197
Литература 208
