Влияние атомарного водорода на свойства тонких эпитаксиальных слоев n-GaAs и структур на их основе

Торхов Николай Анатольевич. Влияние атомарного водорода на свойства тонких эпитаксиальных слоев n-GaAs и структур на их основе : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10.- Томск, 2007.- 134 с.: ил. РГБ ОД, 61 07-1/615
Автор
Торхов Николай Анатольевич
Год
2007
  • 99 000 UZS

Оглавление диссертации
Введение
1. Обзор литературы 13
1.1. Способы получения атомарного водорода и его внедрение в полупроводниковые мателы 13
1.2. Методы контроля атомарного водорода 15
1.3. Взаимодействие атомарного водорода с поверхностью полупроводников 16
1.4. Диффузия атомарного водорода в полупроводники 19
1.5. Влияние водородной обработки на электрофизические свойства полупроводников 24
1.6. Влияние водородной обработки на характеристики полупроводниковых приборов 27
1.7. Стабильность эффектов 29
1.8. Конфигурационно-зарядовое состояние водорода в полупроводниках 31
1.9. Постановка задачи 34
2. Методики экспериментов по обработке образцов в потоке атомарного водорода 37
2.1 Экспериментально-технологическая установка 37
2.2. Технологический маршрут приготовления образцов и условия их обработки в потоке атомарного водорода 39
2.3. Численное моделирование 43
3. Влияние обработки атомарным водородом на свойства поверхности и приповерхностной области эпитаксиального n-GaAs 50
3.1. Влияние диэлектрической плёнки SiOi на процессы, происходящие на границе раздела SiOiln-GaAs и в приповерхностной области n-GaAs
во время обработки в потоке атомарного водорода 50
3.2. Изменение структуры поверхности n-GaAs под воздействием атомарного водорода 58
3.3. Аморфизация поверхности и приповерхностной области n-GaAs 67
3.4. Изменение химической активности материала n-GaAs
под воздействием атомарного водорода 73
4. Влияние обработки атомарным водородом на электрофизические свойства n-GaAs 83
4.1. Пассивация мелкой донорной примеси 83
4.2. Стабильность эффекта пассивации мелкой донорной примеси 87
4.3. Пассивация электрически активных центров в n-GaAs, дающих глубокие уровни в запрещённой зоне 91
5. Влияние обработки атомарным водородом на приборные статические электрические арактеристики Au/n-n+GaAs структур с барьером Шоттки 98
5.1. Статические электрические характеристики Аи/п-п+ Ga/b структур с барьером Шоттки 98
5.2. Причины, приводящие к изменеию статических приборных характеристик под воздействием атомарного водорода 105
Заключение 113
Список литературы

Рекомендуем вам товары

99 000 UZS
Автор
Флоренцев Антон Андреевич
Количество страниц
Год
2007
99 000 UZS
Автор
Чаплыгин Алексей Николаевич
Количество страниц
Год
2007
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3