Введение
Глава 1. Обзор литературы 24
1.1. Индуктивный ВЧ разряд 24
1.2. Индуктивный ВЧ разряд с внешним магнитным полем 41
1.3. Постановка задачи 47
Глава 2. Методика измерений и численных расчетов 48
2.1. Схема экспериментальной установки 48
2.2. Методика экспериментов 51
2.3. Методика численных расчетов 62
Глава 3. Влияние внешних условий на параметры плазмы ВЧ индуктивного технологического источника плазмы 73
3.1. Параметры плазмы индуктивного ВЧ разряда в области скин-слоя 73
3.2. Результаты измерения эквивалентного сопротивления плазмы 90
3.3. Результаты расчетов эквивалентного сопротивления плазмы 97
3.4. Возможности управления параметрами плазмы ВЧ индуктивного технологического источника плазмы путем изменения внешних параметров разряда 102
Глава 4. Влияние внешних параметров на пространственное распределение концентрации и эффективной температуры электронов 103
4.1. Особенности индуктивного ВЧ разряда, наблюдаемые при изменении давления и рода газа 103
4.2. Длины свободного пробега X и релаксации энергии Х электронов 106
4.3. Пространственное распределение параметров плазмы 111
4.4. Результаты математического моделирования индуктивного ВЧ разряда РІС методом 122
4.5. Возможности управления пространственным распределением параметров плазмы 138
Глава 5. Влияние внешнего магнитного поля на параметры плазмы индуктивного ВЧ разряда 139
5.1. Влияние величины индукции внешнего магнитного поля на эффективность вложения ВЧ мощности в плазму 139
5.2. Влияние величины индукции внешнего магнитного поля на пространственное распределение ионного тока насыщения 141
5.3. Влияние величины индукции внешнего магнитного поля на пространственное распределение концентрации и эффективной температуры электронов .146
Основные результаты и выводы 154
Благодарности 156
Список цитированной литературы 157
Список публикаций по теме диссертации 170
