Высоковольтные полупроводниковые приборы с повышенным быстродействием

Гейфман, Евгений Моисеевич. Высоковольтные полупроводниковые приборы с повышенным быстродействием : диссертация ... доктора технических наук : 05.27.01.- Саранск, 2000.- 349 с.: ил. РГБ ОД, 71 00-5/521-2
Автор
Гейфман, Евгений Моисеевич
Год
2000

  • 99 000 UZS

Рекомендуем вам товары

Фокусирующая Френелевская оптика скользящего падения
99 000 UZS
Автор
Кондаков, Аркадий Станиславович
Количество страниц
Год
2000
Резонансно-туннельные явления в однобарьерных GaAs/AlAs/GaAs гетероструктурах
99 000 UZS
Автор
Ханин Юрий Николаевич
Количество страниц
Год
2002
Разработка и внедрение промышленной субмикронной технологии СБИС
99 000 UZS
Автор
Горнев, Евгений Сергеевич
Количество страниц
Год
2000
Моделирование и исследование биполярнополевых структур с отрицательным дифференциальным сопротивлением N-типа и приборов на их основе
99 000 UZS
Автор
Новоселов Алексей Юрьевич
Количество страниц
Год
2000
Исследование динамики электронов в полупроводниковой структуре диода Ганна в коротковолновой части миллиметрового диапазона и анализ возможностей создания генераторов гармоник
99 000 UZS
Автор
Разумихин Константин Андреевич
Количество страниц
Год
2006
Новостной блок
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3