Введение
1. Принципы построения SiC-транзистотров с затором Шоттки 10
1.1. Карбид кремния 10
1.2. Мощные СВЧ полевые транзисторы с затвором Шоттки на основе карбида кремния 14
1.3. Основные электрические параметры мощных СВЧ транзисторов с затвором Шоттки 18
1.4. Системы металлизации для высокотемпературной электроники 22
1.5. Создание омических контактов к 4H карбиду кремния 25
Выводы к главе 1 29
2. Методы расчета основных параметров мощных СВЧ полевых транзисторов с затвором Шоттки на основе SiC 30
2.1. Физические основы моделирования карбидкремниевых транзисторов 30
2.1.1. Температурные зависимости характеристик SiC полевых транзисторов с затвором Шоттки 42
2.1.2. Влияние гамма-излучения на характеристики полевых транзисторов с затвором Шоттки 2.2. Возможности САПР Sentaurus TCAD при расчете параметров SiC-транзисторов 47
2.3. Построение модели мощного полевого транзистора с затвором Шоттки в САПР Sentaurus TCAD 50
2.4. Устойчивость систем металлизации к температурным воздействиям 55
2.5. Сопротивление омических контактов 57
Выводы к главе 2 61
3. Зависимость основных параметров мощных SiC СВЧ-транзисторов с затвором Шоттки от конструктивно-технологических и внешних факторов 62
3.1. Зависимость характеристик транзисторов от конструктивно-технологических параметров канальной области 62
3.2. Влияние конструктивно-технолгических факторов буферной области на параметры SiC транзистора 69
3.3. Варианты конструктивно-технологического исполнения при построении полевых транзисторов с затвором Шоттки с заданными электрическими параметрами з
3.4. Температурные зависимости основных параметров мощных СВЧ транзисторов с затвором Шоттки 86
3.5. Зависимости основных параметров мощных СВЧ транзисторов с затвором Шоттки от интенсивности гамма-излучения 93
3.6. Зависимости паразитных емкостей мощных СВЧ транзисторов с затвором Шоттки от конструктивных параметров канальной и буферной областей 96
Выводы к главе 3 99
4. Характеристики экспериментальных образцов мощных СВЧ транзисторов с затвором Шоттки на основе карбида кремния 100
4.1. Технология и электрические параметры лабораторных и опытных образцов 100
4.2. Влияние типа металлизации транзисторного кристалла на скорость термической деградации 115
Выводы к главе 4 136
Основные результаты и выводы 138
Список литературы 140
