Введение
Глава 1 Основные характеристики и принципы работы полупроводниковых лазеров с активной областью на основе квантовых точек 9
1.1 Полупроводниковые лазеры на основе квантовых точек 9
1.2. Особенности двухуровневой генерации в полупроводниковом лазере на основе квантовых точек 27
1.3 Фактор уширения лини (-фактор) в лазере на основе квантовых точек 39
Глава 2. Задержка включения полупроводниковых лазеров на основе квантоворазмерных гетероструктур 58
2.1 Сравнение задержки включения полупроводникового лазера на основе квантовых точек и квантовых ям. 58
2.2 Экспериментальное исследование задержки включения полупроводниковых квантоворазмерных гетерозаров . 67
Глава 3 Задержка включения возбужденного состояния полупроводникового лазера на квантовых точках . 79
3.1 Экспериментальное наблюдение включения КТ-лазера при одновременной генерации через основное и возбужденное состояния 79
3.2 Теоретическое рассмотрение задержки между включением основного и возбужденного состояний в КТ-лазере . 83
Глава 4. Динамическое взаимодействие между основным и возбужденным состояниями в полупроводниковом лазере на квантовых точках . 95
4.1. Влияние особенностей релаксации носителей на работу КТ-лазера при генерации с двух состояний. 95
4.2 Экспериментальное исследование различных режимов работы лазера на квантовых точках в зависимости от величины тока накачки . 96
Глава 5 Срыв генерации при импульсной накачке лазера на основе квантовых точек 104
5.1 Срыв генерации лазера на квантовых точках. 104
5.2 Описание срыва генерации КТ-лазера на основе системы скоростных уравнений с задержкой 111
Заключение 123
Публикации: 125
Конференции 126
Список используемой литературы 128
