Введение
1. Фоторезистивные слои на основе сульфида свинца и приборы на их основе 11
1.1. Развитие фоторезисторов на основе халькогенидов свинца 11
1.2 Электрофизические свойства сульфида свинца 14
1.3 Технология изготовления фоточувствительных элементов
1.3.1 Химический метод с низкотемпературной обработкой 21
1.3.2 Высокотемпературные технологии 25
1.3.3. Монокристаллические и эпитаксиальные слои 28
1.4. Основные параметры и характеристики фоторезисторов на основе PbS29
1.4.1. Время релаксации и время жизни носителей тока 39
1.5. Фоторезисторы на основе халькогенидов свинца 41
1.6. Постановка задачи 43
2 Методы исследования фоточувствительных слоев и фоторезистов на основе сульфида свинца 45
2.1 Исследование фотоэлектрических параметров 45
2.1.1 Установки для измерения фотоэлектрических параметров 45
2.1.2 Установка для исследования релаксации фотопроводимости 47
2.1.3 Установка для исследования спектральной плотности мощности шума фотоприемников 50
2.2 Установка для исследования спектральных характеристик 51
2.3. Исследования методами электронной, ионной и сканирующей зондовой микроскопии 52
2.3.1 Сканирующая туннельная и атомно-силовая микроскопии 52
2.3.2 Растровая электронная и ионная микроскопия з
2.3.3 Просвечивающая электронная микроскопия (ПЭМ) 57
2.4 Рентгенофотоэлектронная и оже спектроскопия фоточувствительных слоев
3 Технологии, режимы изготовления и конструкции исследуемых фоторезисторов 62
3.1 Вакуумные фоторезисторы 65
3.2 Физические фоторезисторы с высокотемпературным нагревом 67
3.3. Химические фоторезисторы с низкотемпературным отжигом 69
3.4 Химические фоторезисторы с высокотемпературным отжигом 70
4. Электрофизические параметры фоточувствительных слоев сульфида свинца 71
4.1 Фотоэлектрические параметры приборов 71
4.2 Время релаксации фотопроводимости и ее связь с другими параметрами 77
4.3 Исследование спектральных характеристик фоторезисторов 84
4.4 Исследование шума фоторезисторов, изготовленных различными технологиями
4.4.1 СПМШ химических фоторезисторов 87
4.4.2 СПМШ физических фоторезисторов 93
4.4.3 СПМШ вакуумных фоторезисторов 97
Выводы по главе 99
5 Морфология и химический анализ фоточувствительных элементов 101
5.1. Физические фоточувствительные элементы 101
5.2. Химические фоточувствительные элементы 107
5.3 Исследование фоточувствительных элементов с помощью просвечивающей электронной микроскопии высокого разрешения 112
5.4 Исследование состава ФЧЭ с помощью рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии и оже-электронной спектроскопии 115
5.5. Обсуждение результатов 118
Выводы по главе 119
6. Управление фотоэлектрическими параметрами фоторезисторов 121
6.1 Влияния повышенной температуры на параметры ФЧЭ 122
6.1.1 Температурная зависимость темнового сопротивления ФЧЭ 122
6.2 Исследование влияния паров воды на параметры ФЧЭ 128
6.2.1 Исследование влияния паров воды в процессе «очувствления»128
6.2.2 Исследование влияния влажности в период хранения ФЧЭ 1 6.3 Исследование влияния дополнительной термообработки на параметры ФЧЭ 131
6.4 Исследование влияния газовой атмосферы в период хранения на параметры ФЧЭ 1 6.4.1 Влияние воздуха на параметры вакуумных фоторезисторов 134
6.4.2 Временные характеристики релаксации ФЧЭ 134
6.4.3 Влияние обезгаживания на СПМШ ФЧЭ
6.5 Динамика параметров ФЧЭ в результате внешних воздействий 137
6.6 Исследование влияния дополнительной пленки из халькогенидого стекла на параметры ФЧЭ 144
Выводы по разделу 147
Выводы 150
Список сокращений и терминов 152
