Введение
Глава 1. Обзор научно-технической литературы .14
1.1 Литографические методы .15
1.2 Формирование НН на фасетированных и вицинальных поверхностях .17
1.3 Эпитаксиальное выращивание вертикальных нанонитей 29
1.4 Выводы по первой главе .40
Глава 2. Технологическое оборудование и методы исследования .41
2.1 Молекулярно-лучевая эпитаксия .41
2.1.1 Схема установки МЛЭ Riber 32 P 50
2.2 Дифракция быстрых электронов на отражение .53
2.3 Измерение эффекта Холла .56
2.4 Спектроскопия фотолюминесценции 61
2.5 Выводы по второй главе .62
Глава 3. Создание потенциального рельефа при дельта-легировании оловом слоев GaAs/AlGaAs .62
3.1 Теоретическое исследование возможности декорирования оловом краев террас вицинальной поверхности .62
3.2 Калибровка молекулярного источника олова .72
3.3 Подготовка и выглаживание поверхности кристалла GaAs перед декорированием краев террас атомами олова 76
3.4 Декорирование краев террас вицинальной поверхности атомами олова 85
3.5 Заращивание высаженных атомов олова 90
3.6 Гомоэпитаксиальные структуры с нанонитями из атомов олова, встроенные в кристалл GaAs 90
3.7 PHEMT AlGaAs/InGaAs структуры с профилем легирования в виде нанонитей из атомов олова 93
3.8 Выводы по третьей главе .96
Глава 4. Теоретические и экспериментальные исследования .. 97
4.1 Измерения эффекта Холла .97
4.2 Измерения вольт-амперных характеристик .99
4.3 Исследование токовой нестабильности ВАХ .102
4.4 Спектроскопия фотолюминесценции 106
4.5 Расчет зонной структуры гомоэпитаксиальных образцов
4.6 Характеристики полевых транзисторов на основе эпитаксиальных наноструктур, содержащих нанонити из атомов олова 114
4.7 Выводы по четвертой главе 117
Выводы 118
Заключение .120
Список литературы
