Введение
1. Корреляция фотоэлектрических и оптических свойств полупроводниковых мишеней с ВИФЭ. литературный обзор 11
1.1. Основные особенности фотопроводящих полупроводников 11
1.1.1. Эффекты фотопамяти и накопления заряда 11
1.1.2. Процессы активации фоточувствительности в пленках на основе CdS и монокристаллах GaAs и CdTe 14
1.1.3. Спад фотоэффекта в глубине полосы поглощения. Влияние обработки поверхности на фотопроводимость . 19
1.1.4. Особенности фотопроводящих твердых растворов и гетероструктур на основе широкозонных полупроводников 22
1.1.5. Фотопроводящие стойкие к деградации поликристаллические плёнки CdS-PbS 26
1.2. Ионная бомбардировка поверхности твёрдого тела. Ионное распыление 29
1.2.1. Вторично-ионная масс-спектрометрия 29
1.2.2. Распыление монокристаллических образцов 31
1.2.3. Вторично-ионный фотоэффект. 36
Выводы к первой главе 43
2. Исследование фотоэлектрических свойств и вторично ионного фотоэффекта монокристаллов gaas и cdte в разной геометрии 44
2.1. Описание экспериментальных установок и образцов 44
2.2. Исследование фотоэффектов в монокристаллах GaAs
2.2.1. Исследование спектра фотопроводимости GaAs 50
2.2.2. Вторично-ионный фотоэффект на ионах Ga и As 51
2.3. Исследование фотоэффектов в монокристаллах CdTe 52
2.3.1. Исследование фотопроводимости CdTe 52
2.3.2. Особенности ВИФЭ на CdTe 55
2.4. Сравнение фотоэффектов в GaAs и CdTe з
2.5. Спектральная зависимость времени жизни в монокристаллах GaAs и CdTe 57
2.6. Полупроводниково-диэлектрическая структура для экзоионного фототранзистора
2.6.1. Особенности ВИФЭ на фоточувствительной структуре SiO-AlGaAs-GaAs 62
2.6.2. Основные параметры многослойной структуры 66
Выводы ко второй главе 72
3. Исследование механизма рекомбинации в фотопроводящих плёнках CDS-PBS 74
3.1. Сравнительный анализ спектров фотопроводящих монокристаллов CdS и плёнок CdS-PbS 75
3.2. Микроструктурные особенности пленок CdS-PbS 79
3.3. Особенности рекомбинации, фото- и катодолюминесценции пленок CdS-PbS 83
Выводы к третьей главе 93
4. Особенности спектров отражения в пленках сds-pbs в среднем ик диапазоне 94
4.1. Экспериментальное исследование и компьютерное моделирование оптических свойств пленок CdS-PbS и монокристаллов CdS в среднем инфракрасном диапазоне 94
4.2. Плазменный резонанс в фотопроводящих микро- и наноструктурах 97
4.3. Моделирование плазменного резонанса в пленках на основе CdS с учетом подложки 99
4.4. Моделирование плазменного резонанса в композитной среде CdS-PbS 102
4.5. Механизм «раскачки» электронного газа как аналог ВИФЭ 107
Выводы к четвертой главе 110
Заключение 111
Список литературы
