Исследование детектирования терагерцового излучения короткопериодными массивами полевых транзисторов на основе на основе наногетероструктур AlGaAs/InGaAs/GaAs

Ермолаев Денис Михайлович. Исследование детектирования терагерцового излучения короткопериодными массивами полевых транзисторов на основе на основе наногетероструктур AlGaAs/InGaAs/GaAs: диссертация ... кандидата физико-математических наук: 05.27.01 / Ермолаев Денис Михайлович;[Место защиты: Институт физики микроструктур РАН].- Нижний, 2015.- 141 с.
Автор
Ермолаев Денис Михайлович
Год
2015
  • 99 000 UZS

Оглавление диссертации
Введение
1 Детектирование терагерцового излучения полевыми транзисторами (обзор литературы) 17
1.1 Существующие терагерцовые детекторы 17
1.2 Базовые уравнения описания плазменных возбуждений в транзисторной структуре 28
1.3 Уравнения для описания резонансного отклика 32
1.4 Уравнения для описания нерезонансного отклика 34
1.5 Оптические характеристики 36
1.6 Влияние структуры транзистора на терагерцовый отклик 39
1.7 Влияние тока смещения в канале на терагерцовый отклик 43
1.8 Влияние температуры на терагерцовый отклик 45
1.9 Чувствительность терагерцового детектора на основе полевого транзистора 47
1.10 Фототоковый/фотовольтаический режимы работы терагерцового детектора на основе НЕМТ 54
1.11 Феноменология детектирования ТГц излучения на основе НЕМТ 56
1.12 Выводы по разделу 59
2 Изготовление детекторов и описание методик измерения 60
2.1 Разработка конструкции плазмонного детектора с решеточным затвором 60
2.2 Разработка конструкции детекторов на основе массивов транзисторов 63
2.3 Изготовление транзисторных структур 64
2.3.1 Наногетероструктура в основе транзисторных структур 64
2.3.2 Изготовление образцов транзисторной структуры с узкошелевым решеточным затвором 2.3.3 Изготовление образцов транзисторных структур с плотной упаковкой элементарных
ячеек в виде полевых транзисторов 74
2.4 Методики измерений 84
2.4.1 Подготовка образцов к измерениям терагерцового отклика 84
2.4.2 Измерения терагерцового отклика транзисторной структуры с узкошелевым решеточным затвором и массива последовательно соединенных полевых транзисторов 87
2.4.3 Измерениям терагерцового отклика массива параллельно соединенных транзисторов .91
2.5 Зависимость ТГц отклика от поляризации излучения 94
2.6 Выводы по главе 98
3 Терагерцовый фотоотклик транзисторной структуры с узкощелевым короткопериодным решеточным затвором 100
3.1 Экспериментальные результаты исследований терагерцового отклика транзисторной структуры с узкощелевым короткопериодным решеточным затвором 100
3.2 Анализ исследований терагерцового отклика транзисторной структуры с узкощелевым короткопериодным решеточным затвором 108
3.3 Результаты исследований терагерцового отклика транзисторной структуры с узкощелевым короткопериодным решеточным затвором 109
4 Фотоотклик плотноупакованного массива параллельно соединенных полевых транзисторов на терагерцовое излучение 111
4.1 Исследование терагерцового отклика плотноупакованного массива параллельно соединенных полевых транзисторов 111
4.2 Анализ исследований терагерцового отклика плотноупакованного массива параллельно соединенных полевых транзисторов 113
4.3 Выводы по главе 4 115
5 Фотоотклик цепочки полевых транзисторов на терагерцовое излучение 116
5.1 Исследование терагерцового отклика плотноупакованного массива последовательно соединенных полевых транзисторов 116
5.2 Анализ исследований терагерцового отклика плотноупакованного массива последоветльно соединенных полевых транзисторов 120
5.3 Выводы по главе 5 123
Заключение 124
Перечень публикаций автора по теме диссертации 126
Список цитируемой литературы

Рекомендуем вам товары

99 000 UZS
Автор
Жданова Елена Владимировна
Количество страниц
Год
2015
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3