Введение
ГЛАВА 1. Методы роста и люминесцентные свойства системы SI02/SI 11
.1. Методы формирования структур Si02/Si 11
1.1.1. Пористый кремний 11
1.1.2. Методы осаждения 12
1.1.3. Ионно-синтезированные нанокластеры и нанокристаллы Si .15 .
1.2. Люминесцентные свойства системы Si02/Si 17
1.2.1. Люминесцентные свойства диоксида кремния 17
1.2.2. Катодолюминесценция аморфного диоксида кремния 23
1.2.3. Кремний, люминесценция кремния 26
1.2.4. Механизмы люминесценции, связанной с нанокристаллами Si в SiOx 29
1.2.5. Люминесценция структур SiCVSi 34
ГЛАВА 2. Методика эксперимента, исследуемые образцы 42
2.1. Используемые методы 42
2.1.1. Локальная катодолюминесценция 42
2.1.2. Просвечивающая электронная микроскопия (ПЭМ) 49
2.1.3. Методы определения состава 52
2.2. Образцы 53
2.3. Определение условий модификации диоксида кремния электронным пучком 55
ГЛАВА 3. Воздействие электронного пучка с высокой плотностью тока на аморфный диоксид кремния 63
3.1. Облучение пленок диоксида кремния 63
3.2. Облучение объемного диоксида кремния 70
3.2.1. Изменение катодолюминесценции при облучении электронным пучком 70
3.2.2. Аморфный диоксид кремния после длительного облучения электронным пучком 72
ГЛАВА 4. Особености процесса формирования нанокластеров кремния при варьировании параметров эксперимента и начального состава диоксида кремния 76
4.1. Исследование влияния плотности тока на процесс формирования нанокластеров кремния 76
4.1.1. Низкая плотность тока электронного пучка (Toh < 20 С) 77
4.1.2. Низкая плотность тока электронного пучка (ТоЬ=50-200 С)... 77
4.1.3. Средняя плотность тока электронного пучка (Tofl=250-800 С)..78
4.1.4. Высокая плотность тока электронного пучка (Toh >900С) 81
4.2. Исследование влияния содержания ОН-групп а диоксиде кремния на процесс формирования нанокластеров кремния 84
4.2.1. Низкая плотность тока электронного пучка (Toh < 20 С) 84
4.2.2. Средняя плотность тока электронного пучка (Toh =250 С) 84
4.2.3. Высокая плотность тока электронного пучка (T0h =1000 С)...85
4.3. Формирование нанокластеров кремния в диоксиде кремния имплантированном ионами кремния, кислорода и водорода 87
4.3.1. Низкая плотность тока электронного пучка (Toh =50С) 88
4.3.2. Высокая плотность тока электронного пучка (Toh =700 С) 90
ГЛАВА 5. Формирование нанокластеров кремния в аморфном диоксиде кремния под воздействием электронного пучка 94
5.1. Формирование свободного кислорода в диоксиде кремния 95
5.2. Диффузия кислорода 96
5.3. Рост нанокластеров 99
Заключение 103
Список литературы 104
