Инфракрасная полупроводниковая оптоэлектроника с использованием гетероструктур из арсенида индия и твердых растворов на его основе

Матвеев, Борис Анатольевич. Инфракрасная полупроводниковая оптоэлектроника с использованием гетероструктур из арсенида индия и твердых растворов на его основе : диссертация ... доктора физико-математических наук : 01.04.10 / Матвеев Борис Анатольевич; [Место защиты: Физ.-техн. ин-т им. А.Ф. Иоффе РАН].- Б.м., 2010.- 258 с.: ил. РГБ ОД, 71 11-1/248
Автор
Матвеев, Борис Анатольевич
Год
2010

  • 99 000 UZS

Рекомендуем вам товары

Кинетика и механизмы формирования нановискеров в системах Si-Au, Ge-Au (моделирование)
99 000 UZS
Автор
Настовьяк, Алла Георгиевна
Количество страниц
Год
2010
Генерационные процессы в тонкопленочных электролюминесцентных структурах на основе сульфида цинка, легированного марганцем
99 000 UZS
Автор
Афанасьев Александр Михайлович
Количество страниц
Год
2021
Электрические и фотоэлектрические явления в гетероструктурах и диодах Шоттки на основе полупроводников A3B5 и кремния и их применение в сенсорах водорода
99 000 UZS
Автор
Салихов, Хафиз Миргазямович
Количество страниц
Год
2010
Реконструкции поверхности GaAs(001) и их влияние на морфологию слоёв при МЛЭ и вакуумном отжиге
99 000 UZS
Автор
Васев Андрей Васильевич
Количество страниц
Год
2009
Особенности формирования InGaN/(In,Al)GaN активной области для светоизлучающих приборов
99 000 UZS
Автор
Сизов Виктор Сергеевич
Количество страниц
Год
2010
Новостной блок
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3