Введение
Глава I Концентрация и температура носителей заряда в режимах спонтанного и индуцированного излучения из лазерных структур с квантовыми ямами InGaAs/GaAs 16
1.1 Введение 16
1.2 Дизайн лазерных структур и основные параметры 19
1.3 Режим спонтанного излучения 20
1.4 Режим стимулированного излучения 32
1.5 Заключение 38
Глава II Динамика фотолюминесценции и рекомбинационные процессы в Sb-содержащих лазерных наноструктурах 40
2.1 Введение 40
2.2 Наноструктуры и методика исследований 45
2.3 Время жизни носителей заряда при разных оптической накачки и температурах решетки 50
2.4 Время жизни по отношению к оже-рекомбинации 56
2.5 Заключение 68
Глава III Фотолюминесценция в наноструктурах с туннельно-связанными квантовыми ямами GaAs/AlGaAs 69
3.1 Введение 69
3.2 Энергетический спектр электронов в исследуемых структурах 73
3.3 Фотолюминесценция при разных уровнях накачки; разогрев носителей заряда при оптическом возбуждении 78
3.4 Фотолюминесценция горячих носителей заряда в латеральном электрическом поле 92
3.5 Заключение 98
Глава IV Поглощение света при внутризонных переходах горячих носителей заряда в квантовых ямах GaAs/AlGaAs 99
4. ІВведение 99
4.2 Наноструктуры п типа и энергетический спектр электронов 101
4.3Поглощение света горячих электронов при внутризонных переходах горячих электронов в латеральных электрических полях в туннельно-связанных квантовых ямах GaAs/AlGaAs 104
4.43аключение 112
Заключение 113
Список публикаций автора 114
Литература 117
