Введение
1 Электролюминесценция в напряженных микроструктурах /;-GaAsN/GaAs и квантовых ямах w-GaAs/AlGaAs в дальнем инфра красном диапазоне 17
1.1 Введение 17
1.1.1 Деформация и расщепление вырожденных состояний энергетического спектра 17
1.1.2 Стимулированное дальнее ИК излучение из одноосно деформированного p-Ge 28
1.1.3 Донорный центр в квантовой яме 32
1.1.4 Постановка задачи 35
1.2 Техника эксперимента , 36
1.2.1 Образцы 36
1.2.2 Экспериментальные установки 40
1.3 Экспериментальные результаты их обсуждение 45
1.3.1 Вольт-амперные характеристики 45
1.3.2 Интегральные характеристики электролюминесценции . 53
1.3.3 Спектральные характеристики электролюминесценции . 60
1.4 Заключение 64
2 Поглощение и модуляция излучения в структурах с квантовыми ямами/7-GaAs/AlGaAs в среднем инфракрасном диапазоне 65
2.1 Введение 65
2.1.1 Размерное квантование валентной зоны 65
2.1.2 Акцепторный центр в квантовой яме 71
2.1.3 Постановка задачи 76
2.2 Техника эксперимента 77
2.2.1 Образцы 77
2.2.2 Экспериментальные установки 79
2.3 Экспериментальные результаты их обсуждение 81
2.3.1 Равновесная концентрация дырок 81
2.3.2 Спектры равновесного поглощения 84
2.3.3 Модуляция поглощения в электрическом поле 94
2.4 Заключение 98
3 Электролюминесценция в структурах с квантовыми ямами jp-GaAs/AlGaAs и в эпитаксиальных слоях w-GaN в дальнем инфра красном диапазоне 100
3.1 Введение 100
3.1.1 Дальнее ИК излучение мелких доноров и акцепторов при пробое примеси электрическим полем 100
3.1.2 Дальнее ИК излучение мелких доноров в кремнии . 105
3.1.3 Постановка задачи 106
3.2 Техника эксперимента 107
3.2.1 Образцы 107
3.2.2 Экспериментальные установки 107
3.3 Экспериментальные результаты и их обсуждение 108
3.4 Заключение 118
4 Фотоиндуцированное поглощение в структурах с квантовыми точками p-Ge/Si 119
4.1 Введение 119
4.2 Техника эксперимента 123
4.2.1 Образцы 123
4.2.2 Экспериментальная установка 123
4.3 Экспериментальные результаты их обсуждение 126
Заключение 129
Список публикаций автора 131
Литература 136
