Генерационно-рекомбинационные эффекты горячих носителей заряда в компенсированных полупроводниках

Воробьев Юрий Васильевич. Генерационно-рекомбинационные эффекты горячих носителей заряда в компенсированных полупроводниках : ил РГБ ОД 71:85-1/53
Автор
Воробьев Юрий Васильевич
Год

  • 99 000 UZS

Рекомендуем вам товары

Динамические процессы в полупроводниках с мелкими донорами в условиях примесного пробоя
99 000 UZS
Автор
Воронин Игорь Николаевич
Количество страниц
Год
Исследование механизмов рекомбинации в CdxHg1-xTe
99 000 UZS
Автор
Баженов Николай Леонидович
Количество страниц
Год
Жидкостная эпитаксия изопериодных Ga Al Sb As/Ga Sb фотодиодных структур
99 000 UZS
Автор
Баранов Алексей Николаевич
Количество страниц
Год
Получение и исследование гетероструктур и приборов на основе твердых растворов InGaAsP
99 000 UZS
Автор
Ахмедов Давронали
Количество страниц
Год
Концентрационные эффекты в многодолинных полупроводниках и их влияние на винтовую неустойчивость
99 000 UZS
Автор
Буянов Алексей Вадимович
Количество страниц
Год
Новостной блок
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3