Физика полупроводников и диэлектриков

Физика полупроводников и диэлектриков - 67-1139-0
Краевые возбуждения в 2D электронных системах с дираковскими фермионами
Краевые возбуждения в 2D электронных системах с дираковскими фермионами
99 000 UZS
Автор
Загороднев Игорь Витальевич
Количество страниц
Год
2013
Квантовые кинетические явления в дырочном газе размерно-квантованной валентной зоны германия
Квантовые кинетические явления в дырочном газе размерно-квантованной валентной зоны германия
99 000 UZS
Автор
Неверов, Владимир Николаевич
Количество страниц
Год
2013
Высокотемпературные светодиоды для среднего ИК-диапазона на основе узкозонных гетероструктур соединений A3B5
Высокотемпературные светодиоды для среднего ИК-диапазона на основе узкозонных гетероструктур соединений A3B5
99 000 UZS
Автор
Петухов, Андрей Александрович
Количество страниц
Год
2013
Электронно-энергетическое строение наноразмерных структур на основе кремния и его соединений
Электронно-энергетическое строение наноразмерных структур на основе кремния и его соединений
99 000 UZS
Автор
Турищев Сергей Юрьевич
Количество страниц
Год
2014
Изотопические эффекты в спиновом резонансе электронов с различной степенью локализации в кремнии
Изотопические эффекты в спиновом резонансе электронов с различной степенью локализации в кремнии
99 000 UZS
Автор
Сухоруков, Андрей Владимирович
Количество страниц
Год
2012
Процесс формирования экситонов в GaAs и AlGaAs при нерезонансном оптическом возбуждении
Процесс формирования экситонов в GaAs и AlGaAs при нерезонансном оптическом возбуждении
99 000 UZS
Автор
Кожемякина, Елена Владимировна
Количество страниц
Год
2013
Формирование и оптоэлектронные свойства периодических структур с массивами нанокристаллов кремния в диэлектрике
Формирование и оптоэлектронные свойства периодических структур с массивами нанокристаллов кремния в диэлектрике
99 000 UZS
Автор
Чугров, Иван Александрович
Количество страниц
Год
2012
Физические принципы повышения мощности полупроводниковых лазеров на основе AlGaAs/InGaAs/GaAs гетероструктур в непрерывном режиме генерации
Физические принципы повышения мощности полупроводниковых лазеров на основе AlGaAs/InGaAs/GaAs гетероструктур в непрерывном режиме генерации
99 000 UZS
Автор
Шашкин, Илья Сергеевич
Количество страниц
Год
2012
Электронная структура напряженных гетероструктур Ge/Si с вертикально совмещенными квантовыми точками Ge
Электронная структура напряженных гетероструктур Ge/Si с вертикально совмещенными квантовыми точками Ge
99 000 UZS
Автор
Блошкин, Алексей Александрович
Количество страниц
Год
2011
Структура и механические свойства кристаллов ZrO2 частично стабилизированных Y2O3
Структура и механические свойства кристаллов ZrO2 частично стабилизированных Y2O3
99 000 UZS
Автор
Милович, Филипп Олегович
Количество страниц
Год
2013
Высокочастотные акустические и магнитные исследования бората железа и слаболегированных лантан-стронциевых манганитов состава La1-xSrxMnO3 (0.12 < x < 0.175)
Высокочастотные акустические и магнитные исследования бората железа и слаболегированных лантан-стронциевых манганитов состава La1-xSrxMnO3 (0.12 < x < 0.175)
99 000 UZS
Автор
Булатов, Альберт Рунарович
Количество страниц
Год
2011
Анализ газочувствительных наноструктур с варьируемым типом и концентрацией адсорбционных центров
Анализ газочувствительных наноструктур с варьируемым типом и концентрацией адсорбционных центров
99 000 UZS
Автор
Налимова, Светлана Сергеевна
Количество страниц
Год
2013
Структурные и оптические исследования легированных эпитаксиальных гетероструктур на основе A3B5
Структурные и оптические исследования легированных эпитаксиальных гетероструктур на основе A3B5
99 000 UZS
Автор
Глотов, Антон Валерьевич
Количество страниц
Год
2011
Взаимозависимость оптических свойств, кристаллической структуры и состава кристаллов CdS(O) : с привлечением теории непересекающихся зон
Взаимозависимость оптических свойств, кристаллической структуры и состава кристаллов CdS(O) : с привлечением теории непересекающихся зон
99 000 UZS
Автор
Данилевич, Надежда Дмитриевна
Количество страниц
Год
2011
Электронная структура, геометрия и спиновые свойства монофталоцианинов переходных металлов и элементов III и IV группы
Электронная структура, геометрия и спиновые свойства монофталоцианинов переходных металлов и элементов III и IV группы
99 000 UZS
Автор
Тихонов, Евгений Васильевич
Количество страниц
Год
2012
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3