Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники

Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники - 67-989-0
Получение и исследование крупных монокристаллов синтетического алмаза для применения в полупроводниковой технике
Получение и исследование крупных монокристаллов синтетического алмаза для применения в полупроводниковой технике
99 000 UZS
Автор
Фейгельсон Борис Николаевич
Количество страниц
Год
2003
Оптимизация условий выращивания и использование
Оптимизация условий выращивания и использование "третьего" компонента в процессах получения совершенных монокристаллов кремния методом Чохральского для СБИС
99 000 UZS
Автор
Епимахов Игорь Дмитриевич
Количество страниц
Год
2003
Особенности формирования дислокационной структуры в промышленных монокристаллах арсенида и фосфида галлия большого диаметра
Особенности формирования дислокационной структуры в промышленных монокристаллах арсенида и фосфида галлия большого диаметра
99 000 UZS
Автор
Гончарова Наталья Вячеславовна
Количество страниц
Год
2002
Выращивание плазменными методами пленок алмаза и родственных материалов (алмазоподобных, нитрида алюминия, оксида цинка) и применение многослойных структур на основе этих пленок в микро- и акустоэлектронике
Выращивание плазменными методами пленок алмаза и родственных материалов (алмазоподобных, нитрида алюминия, оксида цинка) и применение многослойных структур на основе этих пленок в микро- и акустоэлектронике
99 000 UZS
Автор
Белянин Алексей Федорович
Количество страниц
Год
2002
Исследоввание процессов плазмохимического осаждения пленок нитрида кремния
Исследоввание процессов плазмохимического осаждения пленок нитрида кремния
99 000 UZS
Автор
Ковалгин, Алексей Юрьевич
Количество страниц
Год
2002
Получение твердых растворов AllnGaPAs и InGaPSbAs на основе арсенида галлия из жидкой фазы
Получение твердых растворов AllnGaPAs и InGaPSbAs на основе арсенида галлия из жидкой фазы
99 000 UZS
Автор
Мышкин Алексей Леонидович
Количество страниц
Год
2002
Получение гетероструктур на основе германия и арсенида индия для термофотоэлектрических преобразователей
Получение гетероструктур на основе германия и арсенида индия для термофотоэлектрических преобразователей
99 000 UZS
Автор
Олива Эдуард Владимирович
Количество страниц
Год
2002
Технология и исследование конденсаторных структур на основе сегнетоэлектрических пленок цирконата-титаната свинца
Технология и исследование конденсаторных структур на основе сегнетоэлектрических пленок цирконата-титаната свинца
99 000 UZS
Автор
Панкрашкин Алексей Владимирович
Количество страниц
Год
2002
Применение математического моделирования для анализа процессов теплообмена при выращивании монокристаллов кремния методом Чохральского в промышленных установках
Применение математического моделирования для анализа процессов теплообмена при выращивании монокристаллов кремния методом Чохральского в промышленных установках
99 000 UZS
Автор
Панфилов Игорь Владимирович
Количество страниц
Год
2002
Тонкие пленки углерода: выращивание пучками заряженных частиц, фазообразование, строение и свойства
Тонкие пленки углерода: выращивание пучками заряженных частиц, фазообразование, строение и свойства
99 000 UZS
Автор
Семенова Ирина Александровна
Количество страниц
Год
2024
Материаловедческие основы технологии получения термоэлектрических модулей из слитков твердых растворов Bi2 Te3-Bi2 Se3 и Bi2 Te3-Sb2 Te3 большого диаметра
Материаловедческие основы технологии получения термоэлектрических модулей из слитков твердых растворов Bi2 Te3-Bi2 Se3 и Bi2 Te3-Sb2 Te3 большого диаметра
99 000 UZS
Автор
Фролов Андрей Михайлович
Количество страниц
Год
2002
Повышение оперативности управления технологическим процессом получения подзатворного диэлектрика МДП-ИС
Повышение оперативности управления технологическим процессом получения подзатворного диэлектрика МДП-ИС
99 000 UZS
Автор
Чухраев Игорь Владимирович
Количество страниц
Год
2002
Фотопроводимость и плотность состояний в a-Si: H и сплавах на его основе
Фотопроводимость и плотность состояний в a-Si: H и сплавах на его основе
99 000 UZS
Автор
Горбулин Григорий Львович
Количество страниц
Год
2001
Закономерности формирования и свойства гетероструктур на основе неупорядоченных полупроводников
Закономерности формирования и свойства гетероструктур на основе неупорядоченных полупроводников
99 000 UZS
Автор
Шерченков Алексей Анатольевич
Количество страниц
Год
2002
Технология создания плоских микромодулей для приборов бесконтактной идентификации
Технология создания плоских микромодулей для приборов бесконтактной идентификации
99 000 UZS
Автор
Балабанов Владимир Тарасович
Количество страниц
Год
2008
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3