Технические науки

Технические науки - 67-0-0
Проектирование аналоговых блоков интегральных схем с низким напряжением питания
Проектирование аналоговых блоков интегральных схем с низким напряжением питания
99 000 UZS
Автор
Русанов, Александр Валерьевич
Количество страниц
Год
2013
Исследование и разработка технологии создания мемристоров на основе композитных материалов
Исследование и разработка технологии создания мемристоров на основе композитных материалов
99 000 UZS
Автор
Горшков, Константин Викторович
Количество страниц
Год
2012
Исследование и разработка микросхем для компенсации температурной нестабильности выходной частоты кварцевых генераторов
Исследование и разработка микросхем для компенсации температурной нестабильности выходной частоты кварцевых генераторов
99 000 UZS
Автор
Гусев, Станислав Валентинович
Количество страниц
Год
2012
Оксиды переходных металлов и управляемые туннельные переходы на их основе для создания устройств микро- и наноэлектроники
Оксиды переходных металлов и управляемые туннельные переходы на их основе для создания устройств микро- и наноэлектроники
99 000 UZS
Автор
Иванов, Максим Сергеевич
Количество страниц
Год
2012
Тонкопленочные сверхпроводниковые структуры из титана для сверхчувствительных криогенных болометров терагерцового диапазона частот
Тонкопленочные сверхпроводниковые структуры из титана для сверхчувствительных криогенных болометров терагерцового диапазона частот
99 000 UZS
Автор
Ильин, Алексей Сергеевич
Количество страниц
Год
2012
Модовая структура и нелинейные эффекты в резонансных и нерезонансных фотонных кристаллах
Модовая структура и нелинейные эффекты в резонансных и нерезонансных фотонных кристаллах
99 000 UZS
Автор
Иорш, Иван Владимирович
Количество страниц
Год
2012
Электрофизические свойства и оптимизация параметров эпитаксиальных псевдоморфных НЕМТ структур с односторонним и двухсторонним дельта - легированием
Электрофизические свойства и оптимизация параметров эпитаксиальных псевдоморфных НЕМТ структур с односторонним и двухсторонним дельта - легированием
99 000 UZS
Автор
Климов, Евгений Александрович
Количество страниц
Год
2012
Стимулированное излучение донорами V-группы в деформированном кремнии
Стимулированное излучение донорами V-группы в деформированном кремнии
99 000 UZS
Автор
Ковалевский, Константин Андреевич
Количество страниц
Год
2012
Влияние конструктивно-технологических факторов на электрические параметры мощных ВЧ и СВЧ МОП транзисторов
Влияние конструктивно-технологических факторов на электрические параметры мощных ВЧ и СВЧ МОП транзисторов
99 000 UZS
Автор
Бородкин, Игорь Иванович
Количество страниц
Год
2012
Методы получения и характеристики полиимид - кремниевых микроактюаторов и устройств микромеханики на их основе
Методы получения и характеристики полиимид - кремниевых микроактюаторов и устройств микромеханики на их основе
99 000 UZS
Автор
Корпухин, Андрей Сергеевич
Количество страниц
Год
2012
Твердотельные мощные передатчики C- и X-диапазонов с высокой стабильностью частоты и фазы сигналов на GaN СВЧ транзисторах
Твердотельные мощные передатчики C- и X-диапазонов с высокой стабильностью частоты и фазы сигналов на GaN СВЧ транзисторах
99 000 UZS
Автор
Глыбин, Александр Анатольевич
Количество страниц
Год
2012
Разработка технологии изготовления и исследование характеристик сенсоров диоксида азота и хлора на основе пленок полиакрилонитрила
Разработка технологии изготовления и исследование характеристик сенсоров диоксида азота и хлора на основе пленок полиакрилонитрила
99 000 UZS
Автор
Лу Пин
Количество страниц
Год
2012
Нанотубулярные формы бора: особенности электронно-энергетического строения и проводящих свойств
Нанотубулярные формы бора: особенности электронно-энергетического строения и проводящих свойств
99 000 UZS
Автор
Перевалова Евгения Викторовна
Количество страниц
Год
2012
Особенности взаимодействия СВЧ-излучения с фотонными кристаллами, содержащими в качестве неоднородностей диэлектрические, полупроводниковые и металлические включения
Особенности взаимодействия СВЧ-излучения с фотонными кристаллами, содержащими в качестве неоднородностей диэлектрические, полупроводниковые и металлические включения
99 000 UZS
Автор
Пономарев, Денис Викторович
Количество страниц
Год
2012
Контролируемый газофазный синтез наноструктур для наноэлектроники, фотоники и микросистемной техники
Контролируемый газофазный синтез наноструктур для наноэлектроники, фотоники и микросистемной техники
99 000 UZS
Автор
Редькин, Аркадий Николаевич
Количество страниц
Год
2012
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3