Твердотельная электроника

Твердотельная электроника - 67-989-0
Транспорт носителей заряда в наноразмерных каналах, сформированных углеродными нанотрубками, взаимодействующими с органическими молекулами
Транспорт носителей заряда в наноразмерных каналах, сформированных углеродными нанотрубками, взаимодействующими с органическими молекулами
99 000 UZS
Автор
Емельянов Алексей Владимирович
Количество страниц
Год
2019
Корпуса изделий мощной СВЧ и силовой твердотельной электроники с теплоотводами из новых материалов с высокой теплопроводностью
Корпуса изделий мощной СВЧ и силовой твердотельной электроники с теплоотводами из новых материалов с высокой теплопроводностью
99 000 UZS
Автор
Катаев Сергей Владимирович
Количество страниц
Год
2018
Влияние процесса плазмохимического травления на молекулярную структуру и интегральные свойства диэлектриков с ультранизкой диэлектрической проницаемостью
Влияние процесса плазмохимического травления на молекулярную структуру и интегральные свойства диэлектриков с ультранизкой диэлектрической проницаемостью
99 000 UZS
Автор
Резванов Аскар Анварович
Количество страниц
Год
2019
Фотоиндуцированная сверхбыстрая спиновая динамика в магнитных средах
Фотоиндуцированная сверхбыстрая спиновая динамика в магнитных средах
99 000 UZS
Автор
Кимель Алексей Вольдемарович
Количество страниц
Год
2018
Влияние примесей на дислокационную люминесценцию в кремнии, имплантированном ионами Si+
Влияние примесей на дислокационную люминесценцию в кремнии, имплантированном ионами Si+
99 000 UZS
Автор
Королев Дмитрий Сергеевич
Количество страниц
Год
2022
Исследование и разработка конструктивно-технологических методов улучшения электрических характеристик радиационно-стойких интегральных микросхем в условиях серийного производства
Исследование и разработка конструктивно-технологических методов улучшения электрических характеристик радиационно-стойких интегральных микросхем в условиях серийного производства
99 000 UZS
Автор
Соловьев Андрей Владимирович
Количество страниц
Год
2019
Резистивное переключение в мемристорах на основе стабилизированного диоксида циркония
Резистивное переключение в мемристорах на основе стабилизированного диоксида циркония
99 000 UZS
Автор
Коряжкина Мария Николаевна
Количество страниц
Год
2018
Эффекты пространственного распределения дефектов и примесных атомов в слоистых структурах на основе Si при ионной имплантации
Эффекты пространственного распределения дефектов и примесных атомов в слоистых структурах на основе Si при ионной имплантации
99 000 UZS
Автор
Баранов Глеб Владимирович
Количество страниц
Год
2018
Повышение импульсно-частотных, тепловых и инжекционных характеристик биполярных кремниевых структур методом радиационно-термической обработки
Повышение импульсно-частотных, тепловых и инжекционных характеристик биполярных кремниевых структур методом радиационно-термической обработки
99 000 UZS
Автор
Лагов Петр Борисович
Количество страниц
Год
2018
Электронные состояния и процессы переноса в гетероструктурных квантовых ямах на основе InyGa1-yAs с пространственно-неоднородными функциональными нанослоями
Электронные состояния и процессы переноса в гетероструктурных квантовых ямах на основе InyGa1-yAs с пространственно-неоднородными функциональными нанослоями
99 000 UZS
Автор
Васильевский Иван Сергеевич
Количество страниц
Год
2018
Формирование газоаналитических мультисенсорных микроэлектронных систем на основе термокаталитических и хеморезистивных элементов
Формирование газоаналитических мультисенсорных микроэлектронных систем на основе термокаталитических и хеморезистивных элементов
99 000 UZS
Автор
Лашков Андрей Витальевич
Количество страниц
Год
2018
Исследование динамики горячих электронов в полевых транзисторах на гетероструктурах с донорно-акцепторным легированием для разработки перспективных СВЧ усилителей мощности
Исследование динамики горячих электронов в полевых транзисторах на гетероструктурах с донорно-акцепторным легированием для разработки перспективных СВЧ усилителей мощности
99 000 UZS
Автор
Маковецкая Алена Александровна
Количество страниц
Год
2018
Исследование и разработка КНИ полевых датчиков Холла с расширенными функциональными возможностями
Исследование и разработка КНИ полевых датчиков Холла с расширенными функциональными возможностями
99 000 UZS
Автор
Павлюк Михаил Ильич
Количество страниц
Год
2018
Физико-технологические основы формирования канала силового МДП-транзистора на карбиде кремния
Физико-технологические основы формирования канала силового МДП-транзистора на карбиде кремния
99 000 UZS
Автор
Михайлов Алексей Игоревич
Количество страниц
Год
2018
Электрически перестраиваемые устройства на основе нелинейных диэлектриков для управления диаграммой направленности в антенных системах миллиметрового диапазона длин волн
Электрически перестраиваемые устройства на основе нелинейных диэлектриков для управления диаграммой направленности в антенных системах миллиметрового диапазона длин волн
99 000 UZS
Автор
Платонов Роман Андреевич
Количество страниц
Год
2018
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3